LP9435LT1G Todos los transistores

 

LP9435LT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LP9435LT1G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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LP9435LT1G datasheet

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LP9435LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A = 60m LP9435LT1G RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A = 90m 3 Features 1 Advanced trench process technology 2 High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT 23 (TO 236AB) Improved Shoot-Through FOM D Simple Drive Requirement Small Pack

Otros transistores... LP2305DSLT1G , LP2305LT1G , LP2307LT1G , LP3401LT1G , LP3407LT1G , LP3443LT1G , LP4101LT1G , LP4411ET1G , 5N65 , LRK7002WT1G , LS165 , LS166 , LS370 , LS371 , LSI1012XT1G , LXP152ALT1G , NUS5530MNR2G .

 

 

 

 

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