LP9435LT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: LP9435LT1G
   Código: P94
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 28 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

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LP9435LT1G Datasheet (PDF)

..1. Size:310K lrc
lp9435lt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -30VRDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A = 60mLP9435LT1GRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A = 90m3Features 1Advanced trench process technology 2High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT 23 (TO236AB)Improved Shoot-Through FOM DSimple Drive Requirement Small Pack

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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