Справочник MOSFET. LP9435LT1G

 

LP9435LT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LP9435LT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для LP9435LT1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LP9435LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  lrc
 lp9435lt1g.pdf pdf_icon

LP9435LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -30VRDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A = 60mLP9435LT1GRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A = 90m3Features 1Advanced trench process technology 2High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT 23 (TO236AB)Improved Shoot-Through FOM DSimple Drive Requirement Small Pack

Другие MOSFET... LP2305DSLT1G , LP2305LT1G , LP2307LT1G , LP3401LT1G , LP3407LT1G , LP3443LT1G , LP4101LT1G , LP4411ET1G , 4435 , LRK7002WT1G , LS165 , LS166 , LS370 , LS371 , LSI1012XT1G , LXP152ALT1G , NUS5530MNR2G .

History: SPP08N80C3

 

 
Back to Top

 


 
.