LP9435LT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: LP9435LT1G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для LP9435LT1G
LP9435LT1G Datasheet (PDF)
lp9435lt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -30VRDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A = 60mLP9435LT1GRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A = 90m3Features 1Advanced trench process technology 2High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT 23 (TO236AB)Improved Shoot-Through FOM DSimple Drive Requirement Small Pack
Другие MOSFET... LP2305DSLT1G , LP2305LT1G , LP2307LT1G , LP3401LT1G , LP3407LT1G , LP3443LT1G , LP4101LT1G , LP4411ET1G , 4435 , LRK7002WT1G , LS165 , LS166 , LS370 , LS371 , LSI1012XT1G , LXP152ALT1G , NUS5530MNR2G .
History: SPP08N80C3
History: SPP08N80C3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet | 2sc2625