Справочник MOSFET. LP9435LT1G

 

LP9435LT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: LP9435LT1G
   Маркировка: P94
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для LP9435LT1G

 

 

LP9435LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  lrc
 lp9435lt1g.pdf

LP9435LT1G LP9435LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -30VRDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A = 60mLP9435LT1GRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A = 90m3Features 1Advanced trench process technology 2High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT 23 (TO236AB)Improved Shoot-Through FOM DSimple Drive Requirement Small Pack

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top