LP9435LT1G - описание и поиск аналогов

 

LP9435LT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LP9435LT1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для LP9435LT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LP9435LT1G даташит

 ..1. Size:310K  lrc
 lp9435lt1g.pdf pdf_icon

LP9435LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A = 60m LP9435LT1G RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A = 90m 3 Features 1 Advanced trench process technology 2 High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT 23 (TO 236AB) Improved Shoot-Through FOM D Simple Drive Requirement Small Pack

Другие MOSFET... LP2305DSLT1G , LP2305LT1G , LP2307LT1G , LP3401LT1G , LP3407LT1G , LP3443LT1G , LP4101LT1G , LP4411ET1G , 5N65 , LRK7002WT1G , LS165 , LS166 , LS370 , LS371 , LSI1012XT1G , LXP152ALT1G , NUS5530MNR2G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.