LXP152ALT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: LXP152ALT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

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LXP152ALT1G Datasheet (PDF)

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lxp152alt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Silicon P-Channel MOSFET LXP152ALT1GApplicationsNotebook PCs3Cellular and portable phonesON-board power suppliesLi-ion battery systems1Features 2Low on-state resistance:Rds(on)=0.3 (Vgs=-4.5V)SOT 23 Rds(on)=0.5 (Vgs=-2.5V)Ultra high-speed switching Equivalent circuitGate protect diode built-inDRAINOperational voltage:-

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

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