LXP152ALT1G Todos los transistores

 

LXP152ALT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LXP152ALT1G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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LXP152ALT1G datasheet

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LXP152ALT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Silicon P-Channel MOSFET LXP152ALT1G Applications Notebook PCs 3 Cellular and portable phones ON-board power supplies Li-ion battery systems 1 Features 2 Low on-state resistance Rds(on)=0.3 (Vgs=-4.5V) SOT 23 Rds(on)=0.5 (Vgs=-2.5V) Ultra high-speed switching Equivalent circuit Gate protect diode built-in DRAIN Operational voltage -

Otros transistores... LP4411ET1G , LP9435LT1G , LRK7002WT1G , LS165 , LS166 , LS370 , LS371 , LSI1012XT1G , AON7506 , NUS5530MNR2G , NVA4001N , NVA4153N , NVA7002NT1G , NVB25P06 , NVB5404N , NVB5426N , NVB5860N .

History: IRF3205LPBF

 

 

 

 

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