Справочник MOSFET. LXP152ALT1G

 

LXP152ALT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LXP152ALT1G
   Маркировка: XP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для LXP152ALT1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LXP152ALT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:613K  lrc
 lxp152alt1g.pdf pdf_icon

LXP152ALT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Silicon P-Channel MOSFET LXP152ALT1GApplicationsNotebook PCs3Cellular and portable phonesON-board power suppliesLi-ion battery systems1Features 2Low on-state resistance:Rds(on)=0.3 (Vgs=-4.5V)SOT 23 Rds(on)=0.5 (Vgs=-2.5V)Ultra high-speed switching Equivalent circuitGate protect diode built-inDRAINOperational voltage:-

Другие MOSFET... LP4411ET1G , LP9435LT1G , LRK7002WT1G , LS165 , LS166 , LS370 , LS371 , LSI1012XT1G , IRFP250 , NUS5530MNR2G , NVA4001N , NVA4153N , NVA7002NT1G , NVB25P06 , NVB5404N , NVB5426N , NVB5860N .

History: SQJA84EP | AONR66924 | IAUC120N04S6L012 | PJU6NA40 | BLP02N06-T | SIL3439K

 

 
Back to Top

 


 
.