Справочник MOSFET. LXP152ALT1G

 

LXP152ALT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: LXP152ALT1G
   Маркировка: XP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для LXP152ALT1G

 

 

LXP152ALT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:613K  lrc
 lxp152alt1g.pdf

LXP152ALT1G LXP152ALT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Silicon P-Channel MOSFET LXP152ALT1GApplicationsNotebook PCs3Cellular and portable phonesON-board power suppliesLi-ion battery systems1Features 2Low on-state resistance:Rds(on)=0.3 (Vgs=-4.5V)SOT 23 Rds(on)=0.5 (Vgs=-2.5V)Ultra high-speed switching Equivalent circuitGate protect diode built-inDRAINOperational voltage:-

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 

Back to Top