LXP152ALT1G - описание и поиск аналогов

 

LXP152ALT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LXP152ALT1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для LXP152ALT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LXP152ALT1G даташит

 ..1. Size:613K  lrc
 lxp152alt1g.pdf pdf_icon

LXP152ALT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Silicon P-Channel MOSFET LXP152ALT1G Applications Notebook PCs 3 Cellular and portable phones ON-board power supplies Li-ion battery systems 1 Features 2 Low on-state resistance Rds(on)=0.3 (Vgs=-4.5V) SOT 23 Rds(on)=0.5 (Vgs=-2.5V) Ultra high-speed switching Equivalent circuit Gate protect diode built-in DRAIN Operational voltage -

Другие MOSFET... LP4411ET1G , LP9435LT1G , LRK7002WT1G , LS165 , LS166 , LS370 , LS371 , LSI1012XT1G , AON7506 , NUS5530MNR2G , NVA4001N , NVA4153N , NVA7002NT1G , NVB25P06 , NVB5404N , NVB5426N , NVB5860N .

History: HFP75N80C | NVA4001N | 2SK1254S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.