NVA4001N Todos los transistores

 

NVA4001N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVA4001N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.238 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: SOT-416

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NVA4001N datasheet

 ..1. Size:132K  onsemi
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NVA4001N

NTA4001N, NVA4001N Small Signal MOSFET 20 V, 238 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection, SC-75 Features http //onsemi.com Low Gate Charge for Fast Switching V(BR)DSS RDS(on) ID MAX Small 1.6 x 1.6 mm Footprint Typ @ VGS (Note 1) ESD Protected Gate 1.5 W @ 4.5 V 20 V 238 mA AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVA4001N 2.2 W @ 2.5 V These Devices are Pb-Fre

 ..2. Size:128K  onsemi
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NVA4001N

NTA4001N, NVA4001N Small Signal MOSFET 20 V, 238 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection, SC-75 Features http //onsemi.com Low Gate Charge for Fast Switching V(BR)DSS RDS(on) ID MAX Small 1.6 x 1.6 mm Footprint Typ @ VGS (Note 1) ESD Protected Gate 1.5 W @ 4.5 V 20 V 238 mA AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVA4001N 2.2 W @ 2.5 V These Devices are Pb-Fre

Otros transistores... LRK7002WT1G , LS165 , LS166 , LS370 , LS371 , LSI1012XT1G , LXP152ALT1G , NUS5530MNR2G , IRFP450 , NVA4153N , NVA7002NT1G , NVB25P06 , NVB5404N , NVB5426N , NVB5860N , NVB5860NL , NVB60N06 .

History: CS2N70A3R1-G | S10H18RP

 

 

 

 

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