NVA4001N - описание и поиск аналогов

 

NVA4001N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NVA4001N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.238 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: SOT-416

Аналог (замена) для NVA4001N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVA4001N даташит

 ..1. Size:132K  onsemi
 nta4001n nva4001n.pdf pdf_icon

NVA4001N

NTA4001N, NVA4001N Small Signal MOSFET 20 V, 238 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection, SC-75 Features http //onsemi.com Low Gate Charge for Fast Switching V(BR)DSS RDS(on) ID MAX Small 1.6 x 1.6 mm Footprint Typ @ VGS (Note 1) ESD Protected Gate 1.5 W @ 4.5 V 20 V 238 mA AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVA4001N 2.2 W @ 2.5 V These Devices are Pb-Fre

 ..2. Size:128K  onsemi
 nta4001nt1 nva4001n.pdf pdf_icon

NVA4001N

NTA4001N, NVA4001N Small Signal MOSFET 20 V, 238 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection, SC-75 Features http //onsemi.com Low Gate Charge for Fast Switching V(BR)DSS RDS(on) ID MAX Small 1.6 x 1.6 mm Footprint Typ @ VGS (Note 1) ESD Protected Gate 1.5 W @ 4.5 V 20 V 238 mA AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVA4001N 2.2 W @ 2.5 V These Devices are Pb-Fre

Другие MOSFET... LRK7002WT1G , LS165 , LS166 , LS370 , LS371 , LSI1012XT1G , LXP152ALT1G , NUS5530MNR2G , IRFP450 , NVA4153N , NVA7002NT1G , NVB25P06 , NVB5404N , NVB5426N , NVB5860N , NVB5860NL , NVB60N06 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.