Справочник MOSFET. NVA4001N

 

NVA4001N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVA4001N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.238 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: SOT-416
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NVA4001N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  onsemi
 nta4001n nva4001n.pdf pdf_icon

NVA4001N

NTA4001N, NVA4001NSmall Signal MOSFET20 V, 238 mA, Single, N-Channel, GateESD Protection, SC-75Features http://onsemi.com Low Gate Charge for Fast SwitchingV(BR)DSS RDS(on) ID MAX Small 1.6 x 1.6 mm FootprintTyp @ VGS (Note 1) ESD Protected Gate1.5 W @ 4.5 V20 V 238 mA AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVA4001N2.2 W @ 2.5 V These Devices are Pb-Fre

 ..2. Size:128K  onsemi
 nta4001nt1 nva4001n.pdf pdf_icon

NVA4001N

NTA4001N, NVA4001NSmall Signal MOSFET20 V, 238 mA, Single, N-Channel, GateESD Protection, SC-75Features http://onsemi.com Low Gate Charge for Fast SwitchingV(BR)DSS RDS(on) ID MAX Small 1.6 x 1.6 mm FootprintTyp @ VGS (Note 1) ESD Protected Gate1.5 W @ 4.5 V20 V 238 mA AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVA4001N2.2 W @ 2.5 V These Devices are Pb-Fre

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 2SK2045LS | FHF13N50A | STP5NB40 | 18N10 | BRA7N80 | UF630 | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.