NVA7002NT1G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVA7002NT1G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.154 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm

Encapsulados: SOT-416

 Búsqueda de reemplazo de NVA7002NT1G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

NVA7002NT1G datasheet

 ..1. Size:107K  onsemi
 nva7002nt1g.pdf pdf_icon

NVA7002NT1G

NTA7002N, NVA7002N Small Signal MOSFET 30 V, 154 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection, SC-75 http //onsemi.com Features Low Gate Charge for Fast Switching RDS(on) ID MAX Small 1.6 x 1.6 mm Footprint V(BR)DSS Typ @ VGS (Note 1) 1.4 W @ 4.5 V ESD Protected Gate 30 V 154 mA AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVA7002N 2.3 W @ 2.5 V These Devices are Pb-Fre

Otros transistores... LS166, LS370, LS371, LSI1012XT1G, LXP152ALT1G, NUS5530MNR2G, NVA4001N, NVA4153N, AO4407, NVB25P06, NVB5404N, NVB5426N, NVB5860N, NVB5860NL, NVB60N06, NVB6410AN, NVB6411AN