NVA7002NT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NVA7002NT1G
Маркировка: T6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.154 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
Тип корпуса: SOT-416
Аналог (замена) для NVA7002NT1G
NVA7002NT1G Datasheet (PDF)
..1. Size:107K onsemi
nva7002nt1g.pdf
nva7002nt1g.pdf
NTA7002N, NVA7002NSmall Signal MOSFET30 V, 154 mA, Single, N-Channel, GateESD Protection, SC-75http://onsemi.comFeatures Low Gate Charge for Fast SwitchingRDS(on) ID MAX Small 1.6 x 1.6 mm Footprint V(BR)DSS Typ @ VGS (Note 1)1.4 W @ 4.5 V ESD Protected Gate30 V 154 mA AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVA7002N2.3 W @ 2.5 V These Devices are Pb-Fre
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
