Справочник MOSFET. NVA7002NT1G

 

NVA7002NT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVA7002NT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.154 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
   Тип корпуса: SOT-416
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NVA7002NT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  onsemi
 nva7002nt1g.pdf pdf_icon

NVA7002NT1G

NTA7002N, NVA7002NSmall Signal MOSFET30 V, 154 mA, Single, N-Channel, GateESD Protection, SC-75http://onsemi.comFeatures Low Gate Charge for Fast SwitchingRDS(on) ID MAX Small 1.6 x 1.6 mm Footprint V(BR)DSS Typ @ VGS (Note 1)1.4 W @ 4.5 V ESD Protected Gate30 V 154 mA AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVA7002N2.3 W @ 2.5 V These Devices are Pb-Fre

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 2SK2389 | STN3N45K3 | BL40N25-F | NP33N06YDG | MCMN2012 | CM4N60F | IPA045N10N3G

 

 
Back to Top

 


 
.