NVA7002NT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVA7002NT1G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.154 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm

Тип корпуса: SOT-416

Аналог (замена) для NVA7002NT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVA7002NT1G даташит

 ..1. Size:107K  onsemi
 nva7002nt1g.pdf pdf_icon

NVA7002NT1G

NTA7002N, NVA7002N Small Signal MOSFET 30 V, 154 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection, SC-75 http //onsemi.com Features Low Gate Charge for Fast Switching RDS(on) ID MAX Small 1.6 x 1.6 mm Footprint V(BR)DSS Typ @ VGS (Note 1) 1.4 W @ 4.5 V ESD Protected Gate 30 V 154 mA AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVA7002N 2.3 W @ 2.5 V These Devices are Pb-Fre

Другие IGBT... LS166, LS370, LS371, LSI1012XT1G, LXP152ALT1G, NUS5530MNR2G, NVA4001N, NVA4153N, AO4407, NVB25P06, NVB5404N, NVB5426N, NVB5860N, NVB5860NL, NVB60N06, NVB6410AN, NVB6411AN