NVB60N06 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVB60N06  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 62 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 180.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 660 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: D2PAK

 Búsqueda de reemplazo de NVB60N06 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

NVB60N06 datasheet

 ..1. Size:155K  onsemi
 nvb60n06.pdf pdf_icon

NVB60N06

NTB60N06, NVB60N06 Power MOSFET 60 V, 60 A, N-Channel D2PAK Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. http //onsemi.com Features 60 VOLTS, 60 AMPERES AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVB60N06 RDS(on) = 14 mW These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant N-Channel Typical App

Otros transistores... NVA4001N, NVA4153N, NVA7002NT1G, NVB25P06, NVB5404N, NVB5426N, NVB5860N, NVB5860NL, 10N65, NVB6410AN, NVB6411AN, NVB6412AN, NVB6413AN, NVD14N03R, NVD20N03L27, NVD3055-094, NVD3055-150