NVB60N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NVB60N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 62 nC
Tiempo de subida (tr): 180.7 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 660 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.014 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
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NVB60N06 Datasheet (PDF)
nvb60n06.pdf
NTB60N06, NVB60N06Power MOSFET60 V, 60 A, N-Channel D2PAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits. http://onsemi.comFeatures60 VOLTS, 60 AMPERES AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVB60N06RDS(on) = 14 mW These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantN-ChannelTypical App
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