NVB60N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVB60N06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 180.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для NVB60N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVB60N06 даташит

 ..1. Size:155K  onsemi
 nvb60n06.pdf pdf_icon

NVB60N06

NTB60N06, NVB60N06 Power MOSFET 60 V, 60 A, N-Channel D2PAK Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. http //onsemi.com Features 60 VOLTS, 60 AMPERES AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVB60N06 RDS(on) = 14 mW These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant N-Channel Typical App

Другие IGBT... NVA4001N, NVA4153N, NVA7002NT1G, NVB25P06, NVB5404N, NVB5426N, NVB5860N, NVB5860NL, 10N65, NVB6410AN, NVB6411AN, NVB6412AN, NVB6413AN, NVD14N03R, NVD20N03L27, NVD3055-094, NVD3055-150