Справочник MOSFET. NVB60N06

 

NVB60N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVB60N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 180.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для NVB60N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVB60N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  onsemi
 nvb60n06.pdf pdf_icon

NVB60N06

NTB60N06, NVB60N06Power MOSFET60 V, 60 A, N-Channel D2PAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits. http://onsemi.comFeatures60 VOLTS, 60 AMPERES AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVB60N06RDS(on) = 14 mW These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantN-ChannelTypical App

Другие MOSFET... NVA4001N , NVA4153N , NVA7002NT1G , NVB25P06 , NVB5404N , NVB5426N , NVB5860N , NVB5860NL , STP80NF70 , NVB6410AN , NVB6411AN , NVB6412AN , NVB6413AN , NVD14N03R , NVD20N03L27 , NVD3055-094 , NVD3055-150 .

History: 24NM60L-T3B-T | H5N2004DL | 2SK3515-01MR | AO4262E | TPCF8102 | VSE005N03MS | SHD226413

 

 
Back to Top

 


 
.