NVB60N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NVB60N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 62 nC
Время нарастания (tr): 180.7 ns
Выходная емкость (Cd): 660 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
NVB60N06 Datasheet (PDF)
..1. Size:155K onsemi
nvb60n06.pdf
nvb60n06.pdf
NTB60N06, NVB60N06Power MOSFET60 V, 60 A, N-Channel D2PAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits. http://onsemi.comFeatures60 VOLTS, 60 AMPERES AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVB60N06RDS(on) = 14 mW These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantN-ChannelTypical App
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
