NVB6411AN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVB6411AN  📄📄 

Código: 6411AN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 217 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 77 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 100 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 144 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: D2PAK

 Búsqueda de reemplazo de NVB6411AN MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

NVB6411AN datasheet

 ..1. Size:131K  onsemi
ntb6411ang nvb6411an.pdf pdf_icon

NVB6411AN

NTB6411AN, NTP6411AN, NVB6411AN N-Channel Power MOSFET 100 V, 77 A, 14 mW Features Low RDS(on) http //onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche Tested ID MAX NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 100 V 14 mW @ 10 V 77 A Qualified and PPAP Capable The

 8.1. Size:77K  onsemi
nvb6412an.pdf pdf_icon

NVB6411AN

NTB6412AN, NTP6412AN, NVB6412AN N-Channel Power MOSFET 100 V, 58 A, 18.2 mW Features Low RDS(on) www.onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche Tested ID MAX NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 100 V 18.2 mW @ 10 V 58 A Qualified and PPAP Capable Th

 8.2. Size:77K  onsemi
nvb6410an.pdf pdf_icon

NVB6411AN

NTB6410AN, NTP6410AN, NVB6410AN N-Channel Power MOSFET 100 V, 76 A, 13 mW Features www.onsemi.com Low RDS(on) High Current Capability ID MAX 100% Avalanche Tested V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 100 V 13 mW @ 10 V 76 A Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable N-Channel

 8.3. Size:271K  onsemi
ntb6412an ntp6412an nvb6412an.pdf pdf_icon

NVB6411AN

NTB6412AN, NTP6412AN, NVB6412AN N-Channel Power MOSFET 100 V, 58 A, 18.2 mW Features Low RDS(on) www.onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche Tested ID MAX NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 100 V 18.2 mW @ 10 V 58 A Qualified and PPAP Capable Th

Otros transistores... NVA7002NT1G, NVB25P06, NVB5404N, NVB5426N, NVB5860N, NVB5860NL, NVB60N06, NVB6410AN, RFP50N06, NVB6412AN, NVB6413AN, NVD14N03R, NVD20N03L27, NVD3055-094, NVD3055-150, NVD3055L170, NVD4804N