NVB6411AN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NVB6411AN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 217 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 77 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 144 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для NVB6411AN
NVB6411AN Datasheet (PDF)
ntb6411ang nvb6411an.pdf

NTB6411AN, NTP6411AN,NVB6411ANN-Channel Power MOSFET100 V, 77 A, 14 mWFeatures Low RDS(on)http://onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche TestedID MAX NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101100 V 14 mW @ 10 V 77 AQualified and PPAP Capable The
nvb6412an.pdf

NTB6412AN, NTP6412AN,NVB6412ANN-Channel Power MOSFET100 V, 58 A, 18.2 mWFeatures Low RDS(on)www.onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche TestedID MAX NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101100 V 18.2 mW @ 10 V 58 AQualified and PPAP Capable Th
nvb6410an.pdf

NTB6410AN, NTP6410AN,NVB6410ANN-Channel Power MOSFET100 V, 76 A, 13 mWFeatureswww.onsemi.com Low RDS(on) High Current CapabilityID MAX 100% Avalanche TestedV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring100 V 13 mW @ 10 V 76 AUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP CapableN-Channel
ntb6412an ntp6412an nvb6412an.pdf

NTB6412AN, NTP6412AN,NVB6412ANN-Channel Power MOSFET100 V, 58 A, 18.2 mWFeatures Low RDS(on)www.onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche TestedID MAX NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101100 V 18.2 mW @ 10 V 58 AQualified and PPAP Capable Th
Другие MOSFET... NVA7002NT1G , NVB25P06 , NVB5404N , NVB5426N , NVB5860N , NVB5860NL , NVB60N06 , NVB6410AN , SKD502T , NVB6412AN , NVB6413AN , NVD14N03R , NVD20N03L27 , NVD3055-094 , NVD3055-150 , NVD3055L170 , NVD4804N .
History: VS3628GA | CSD16322Q5 | 2SK3019
History: VS3628GA | CSD16322Q5 | 2SK3019



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor | c2073 transistor