NVD14N03R Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVD14N03R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm

Encapsulados: DPAK

 Búsqueda de reemplazo de NVD14N03R MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

NVD14N03R datasheet

 ..1. Size:93K  onsemi
 nvd14n03r.pdf pdf_icon

NVD14N03R

NTD14N03R, NVD14N03R Power MOSFET 14 A, 25 V, N-Channel DPAK Features Planar HD3e Process for Fast Switching Performance http //onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss Low Ciss to Minimize Driver Loss 14 AMPERES, 25 VOLTS Low Gate Charge RDS(on) = 70.4 mW (Typ) Optimized for High Side Switching Requirements in D High-Efficiency DC-DC Converters N

Otros transistores... NVB5426N, NVB5860N, NVB5860NL, NVB60N06, NVB6410AN, NVB6411AN, NVB6412AN, NVB6413AN, 18N50, NVD20N03L27, NVD3055-094, NVD3055-150, NVD3055L170, NVD4804N, NVD4805N, NVD4806N, NVD4808N