NVD14N03R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVD14N03R  📄📄 

Маркировка: 14N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 1.8 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NVD14N03R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVD14N03R даташит

 ..1. Size:93K  onsemi
 nvd14n03r.pdf pdf_icon

NVD14N03R

NTD14N03R, NVD14N03R Power MOSFET 14 A, 25 V, N-Channel DPAK Features Planar HD3e Process for Fast Switching Performance http //onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss Low Ciss to Minimize Driver Loss 14 AMPERES, 25 VOLTS Low Gate Charge RDS(on) = 70.4 mW (Typ) Optimized for High Side Switching Requirements in D High-Efficiency DC-DC Converters N

Другие IGBT... NVB5426N, NVB5860N, NVB5860NL, NVB60N06, NVB6410AN, NVB6411AN, NVB6412AN, NVB6413AN, 18N50, NVD20N03L27, NVD3055-094, NVD3055-150, NVD3055L170, NVD4804N, NVD4805N, NVD4806N, NVD4808N