NVD14N03R - аналоги и даташиты транзистора

 

NVD14N03R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NVD14N03R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для NVD14N03R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVD14N03R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  onsemi
 nvd14n03r.pdf pdf_icon

NVD14N03R

NTD14N03R, NVD14N03RPower MOSFET14 A, 25 V, N-Channel DPAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performancehttp://onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss Low Ciss to Minimize Driver Loss14 AMPERES, 25 VOLTS Low Gate ChargeRDS(on) = 70.4 mW (Typ) Optimized for High Side Switching Requirements inDHigh-Efficiency DC-DC Converters N

Другие MOSFET... NVB5426N , NVB5860N , NVB5860NL , NVB60N06 , NVB6410AN , NVB6411AN , NVB6412AN , NVB6413AN , 75N75 , NVD20N03L27 , NVD3055-094 , NVD3055-150 , NVD3055L170 , NVD4804N , NVD4805N , NVD4806N , NVD4808N .

History: GSM4599 | NVB6413AN | LNC08R160 | FIR4N60FG | 2SK3133L | FIR80N10LG | IPB065N06LG

 

 
Back to Top

 


 
.