Справочник MOSFET. NVD14N03R

 

NVD14N03R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVD14N03R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NVD14N03R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  onsemi
 nvd14n03r.pdf pdf_icon

NVD14N03R

NTD14N03R, NVD14N03RPower MOSFET14 A, 25 V, N-Channel DPAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performancehttp://onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss Low Ciss to Minimize Driver Loss14 AMPERES, 25 VOLTS Low Gate ChargeRDS(on) = 70.4 mW (Typ) Optimized for High Side Switching Requirements inDHigh-Efficiency DC-DC Converters N

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.