NVD20N03L27 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NVD20N03L27
Código: 20N3L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 13.8 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 137 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 271 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NVD20N03L27
NVD20N03L27 Datasheet (PDF)
ntd20n03l27 nvd20n03l27.pdf
NTD20N03L27, NVD20N03L27Power MOSFET20 A, 30 V, N-Channel DPAKThis logic level vertical power MOSFET is a general purpose partthat provides the best of design available today in a low cost powerpackage. Avalanche energy issues make this part an ideal design in.The drain-to-source diode has a ideal fast but soft recovery.http://onsemi.comFeatures Ultra-Low RDS(on), Sin
nvd20n03l27.pdf
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Liste
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