NVD20N03L27 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVD20N03L27  📄📄 

Маркировка: 20N3L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13.8 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 137 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 271 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NVD20N03L27

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVD20N03L27 даташит

 ..1. Size:95K  onsemi
 ntd20n03l27 nvd20n03l27.pdf pdf_icon

NVD20N03L27

NTD20N03L27, NVD20N03L27 Power MOSFET 20 A, 30 V, N-Channel DPAK This logic level vertical power MOSFET is a general purpose part that provides the best of design available today in a low cost power package. Avalanche energy issues make this part an ideal design in. The drain-to-source diode has a ideal fast but soft recovery. http //onsemi.com Features Ultra-Low RDS(on), Sin

 ..2. Size:91K  onsemi
 nvd20n03l27.pdf pdf_icon

NVD20N03L27

NTD20N03L27, NVD20N03L27 Power MOSFET 20 A, 30 V, N-Channel DPAK This logic level vertical power MOSFET is a general purpose part that provides the best of design available today in a low cost power package. Avalanche energy issues make this part an ideal design in. The drain-to-source diode has a ideal fast but soft recovery. http //onsemi.com Features Ultra-Low RDS(on), Sin

Другие IGBT... NVB5860N, NVB5860NL, NVB60N06, NVB6410AN, NVB6411AN, NVB6412AN, NVB6413AN, NVD14N03R, 20N50, NVD3055-094, NVD3055-150, NVD3055L170, NVD4804N, NVD4805N, NVD4806N, NVD4808N, NVD4809N