PHB9N60E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHB9N60E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: SOT404

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PHB9N60E datasheet

 ..1. Size:102K  philips
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PHB9N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHB9N60E, PHW9N60E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 8.7 A g Low thermal resistance RDS(ON) 0.8 s GENERAL DESCRIPTION N-channel, enh

 9.1. Size:115K  philips
 phb9nq20t phd9nq20t php9nq20t 2.pdf pdf_icon

PHB9N60E

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP9NQ20T, PHB9NQ20T PHD9NQ20T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switching Low thermal resistance ID = 8.7 A g RDS(ON) 400 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel, enhancement mode field-effect power transistor using

Otros transistores... PHB6N50E, PHB6N60E, PHB6ND50E, PHB7N60E, PHB80N06LT, PHB87N03LT, PHB8N50E, PHB8ND50E, IRFB3607, PHD10N10E, PHD12N10E, PHD2N50E, PHD2N60E, PHD3055E, PHD3N40E, PHD45N03LT, PHD50N03LT