PHB9N60E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PHB9N60E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 130 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm
Тип корпуса: SOT404
PHB9N60E Datasheet (PDF)
phb9n60e phw9n60e 3.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHB9N60E, PHW9N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 8.7 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.8 sGENERAL DESCRIPTIONN-channel, enh
phb9nq20t phd9nq20t php9nq20t 2.pdf
Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP9NQ20T, PHB9NQ20T PHD9NQ20TFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switching Low thermal resistance ID = 8.7 AgRDS(ON) 400 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel, enhancement mode field-effect power transistor using
Другие MOSFET... PHB6N50E , PHB6N60E , PHB6ND50E , PHB7N60E , PHB80N06LT , PHB87N03LT , PHB8N50E , PHB8ND50E , RFP50N06 , PHD10N10E , PHD12N10E , PHD2N50E , PHD2N60E , PHD3055E , PHD3N40E , PHD45N03LT , PHD50N03LT .
