PHB9N60E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHB9N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: SOT404

Аналог (замена) для PHB9N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB9N60E даташит

 ..1. Size:102K  philips
 phb9n60e phw9n60e 3.pdf pdf_icon

PHB9N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHB9N60E, PHW9N60E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 8.7 A g Low thermal resistance RDS(ON) 0.8 s GENERAL DESCRIPTION N-channel, enh

 9.1. Size:115K  philips
 phb9nq20t phd9nq20t php9nq20t 2.pdf pdf_icon

PHB9N60E

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP9NQ20T, PHB9NQ20T PHD9NQ20T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switching Low thermal resistance ID = 8.7 A g RDS(ON) 400 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel, enhancement mode field-effect power transistor using

Другие IGBT... PHB6N50E, PHB6N60E, PHB6ND50E, PHB7N60E, PHB80N06LT, PHB87N03LT, PHB8N50E, PHB8ND50E, IRFB3607, PHD10N10E, PHD12N10E, PHD2N50E, PHD2N60E, PHD3055E, PHD3N40E, PHD45N03LT, PHD50N03LT