NVD4C05N Todos los transistores

 

NVD4C05N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NVD4C05N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 107 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 725 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0041 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de NVD4C05N MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

NVD4C05N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  onsemi
 nvd4c05n.pdf pdf_icon

NVD4C05N

NVD4C05NProduct PreviewPower MOSFET30 V, 4.1 mW, 90 A, Single N-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableV(BR)DSS RDS(on) ID These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS4.1 mW @ 10 V30 V 90 ACompliant6.0 mW @ 4.5 VMAXIMUM R

 0.1. Size:262K  inchange semiconductor
 nvd4c05nt4g.pdf pdf_icon

NVD4C05N

Isc N-Channel MOSFET Transistor NVD4C05NT4GFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

Otros transistores... NVD4804N , NVD4805N , NVD4806N , NVD4808N , NVD4809N , NVD4810N , NVD4813NH , NVD4856N , NCEP15T14 , NVD5117PL , NVD5414N , NVD5484NL , NVD5490NL , NVD5802N , NVD5805N , NVD5806N , NVD5807N .

History: AP9560GH-HF | RFP50N06LE | LNC04R050 | 2SK1315S | UPA2463T1Q | BFW10 | HIRF830

 

 
Back to Top

 


 
.