NVD4C05N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NVD4C05N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 57 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 90 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 107 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 725 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0041 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
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NVD4C05N Datasheet (PDF)
nvd4c05n.pdf
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