NVD4C05N - аналоги и даташиты транзистора

 

NVD4C05N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NVD4C05N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 107 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 725 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для NVD4C05N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVD4C05N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  onsemi
 nvd4c05n.pdf pdf_icon

NVD4C05N

NVD4C05NProduct PreviewPower MOSFET30 V, 4.1 mW, 90 A, Single N-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableV(BR)DSS RDS(on) ID These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS4.1 mW @ 10 V30 V 90 ACompliant6.0 mW @ 4.5 VMAXIMUM R

 0.1. Size:262K  inchange semiconductor
 nvd4c05nt4g.pdf pdf_icon

NVD4C05N

Isc N-Channel MOSFET Transistor NVD4C05NT4GFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

Другие MOSFET... NVD4804N , NVD4805N , NVD4806N , NVD4808N , NVD4809N , NVD4810N , NVD4813NH , NVD4856N , NCEP15T14 , NVD5117PL , NVD5414N , NVD5484NL , NVD5490NL , NVD5802N , NVD5805N , NVD5806N , NVD5807N .

History: IRLU3410PBF | LNC07R085H | SWD4N65K | 2SK1841 | AP9467AGM | VBFB2658 | DH020N03F

 

 
Back to Top

 


 
.