NVD4C05N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVD4C05N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 107 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 725 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NVD4C05N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVD4C05N даташит

 ..1. Size:55K  onsemi
 nvd4c05n.pdf pdf_icon

NVD4C05N

NVD4C05N Product Preview Power MOSFET 30 V, 4.1 mW, 90 A, Single N-Channel Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable V(BR)DSS RDS(on) ID These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 4.1 mW @ 10 V 30 V 90 A Compliant 6.0 mW @ 4.5 V MAXIMUM R

 0.1. Size:262K  inchange semiconductor
 nvd4c05nt4g.pdf pdf_icon

NVD4C05N

Isc N-Channel MOSFET Transistor NVD4C05NT4G FEATURES With To-252(DPAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vo

Другие IGBT... NVD4804N, NVD4805N, NVD4806N, NVD4808N, NVD4809N, NVD4810N, NVD4813NH, NVD4856N, IRF1405, NVD5117PL, NVD5414N, NVD5484NL, NVD5490NL, NVD5802N, NVD5805N, NVD5806N, NVD5807N