NVD5117PL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NVD5117PL
Código: 5117L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 118 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 61 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 49 nC
Tiempo de subida (tr): 195 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 480 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NVD5117PL
NVD5117PL Datasheet (PDF)
nvd5117pl.pdf
NVD5117PLPower MOSFET-60 V, 16 mW, -61 A, Single P-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses High Current Capability Avalanche Energy Specifiedhttp://onsemi.com AEC-Q101 Qualified These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(on) IDCompliant16 mW @ -10 V-60 V -61 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise
nvd5117pl.pdf
isc P-Channel MOSFET Transistor NVD5117PLFEATURESDrain Current : I = -61A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = -60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 16m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.
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