NVD5117PL Todos los transistores

 

NVD5117PL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NVD5117PL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 118 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 61 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 195 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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NVD5117PL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  onsemi
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NVD5117PL

NVD5117PLPower MOSFET-60 V, 16 mW, -61 A, Single P-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses High Current Capability Avalanche Energy Specifiedhttp://onsemi.com AEC-Q101 Qualified These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(on) IDCompliant16 mW @ -10 V-60 V -61 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise

 ..2. Size:286K  inchange semiconductor
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NVD5117PL

isc P-Channel MOSFET Transistor NVD5117PLFEATURESDrain Current : I = -61A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = -60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 16m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.

Otros transistores... NVD4805N , NVD4806N , NVD4808N , NVD4809N , NVD4810N , NVD4813NH , NVD4856N , NVD4C05N , MMIS60R580P , NVD5414N , NVD5484NL , NVD5490NL , NVD5802N , NVD5805N , NVD5806N , NVD5807N , NVD5890NL .

History: VBM18R15S

 

 
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