NVD5117PL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVD5117PL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 118 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 61 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 195 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: DPAK

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NVD5117PL datasheet

 ..1. Size:136K  onsemi
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NVD5117PL

NVD5117PL Power MOSFET -60 V, 16 mW, -61 A, Single P-Channel Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses High Current Capability Avalanche Energy Specified http //onsemi.com AEC-Q101 Qualified These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) ID Compliant 16 mW @ -10 V -60 V -61 A MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise

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NVD5117PL

isc P-Channel MOSFET Transistor NVD5117PL FEATURES Drain Current I = -61A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = -60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 16m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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