NVD5117PL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NVD5117PL
Маркировка: 5117L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 118 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 61 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 49 nC
Время нарастания (tr): 195 ns
Выходная емкость (Cd): 480 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.016 Ohm
Тип корпуса: DPAK
NVD5117PL Datasheet (PDF)
nvd5117pl.pdf
NVD5117PLPower MOSFET-60 V, 16 mW, -61 A, Single P-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses High Current Capability Avalanche Energy Specifiedhttp://onsemi.com AEC-Q101 Qualified These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(on) IDCompliant16 mW @ -10 V-60 V -61 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise
nvd5117pl.pdf
isc P-Channel MOSFET Transistor NVD5117PLFEATURESDrain Current : I = -61A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = -60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 16m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
