NVD5117PL - аналоги и даташиты транзистора

 

NVD5117PL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NVD5117PL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 118 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 195 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для NVD5117PL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVD5117PL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  onsemi
 nvd5117pl.pdf pdf_icon

NVD5117PL

NVD5117PLPower MOSFET-60 V, 16 mW, -61 A, Single P-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses High Current Capability Avalanche Energy Specifiedhttp://onsemi.com AEC-Q101 Qualified These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(on) IDCompliant16 mW @ -10 V-60 V -61 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise

 ..2. Size:286K  inchange semiconductor
 nvd5117pl.pdf pdf_icon

NVD5117PL

isc P-Channel MOSFET Transistor NVD5117PLFEATURESDrain Current : I = -61A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = -60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 16m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.

Другие MOSFET... NVD4805N , NVD4806N , NVD4808N , NVD4809N , NVD4810N , NVD4813NH , NVD4856N , NVD4C05N , 7N60 , NVD5414N , NVD5484NL , NVD5490NL , NVD5802N , NVD5805N , NVD5806N , NVD5807N , NVD5890NL .

History: PHB55N03LT | IRFB7545

 

 
Back to Top

 


 
.