NVD5117PL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVD5117PL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 118 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 195 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NVD5117PL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVD5117PL даташит

 ..1. Size:136K  onsemi
 nvd5117pl.pdf pdf_icon

NVD5117PL

NVD5117PL Power MOSFET -60 V, 16 mW, -61 A, Single P-Channel Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses High Current Capability Avalanche Energy Specified http //onsemi.com AEC-Q101 Qualified These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) ID Compliant 16 mW @ -10 V -60 V -61 A MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise

 ..2. Size:286K  inchange semiconductor
 nvd5117pl.pdf pdf_icon

NVD5117PL

isc P-Channel MOSFET Transistor NVD5117PL FEATURES Drain Current I = -61A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = -60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 16m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

Другие IGBT... NVD4805N, NVD4806N, NVD4808N, NVD4809N, NVD4810N, NVD4813NH, NVD4856N, NVD4C05N, 7N60, NVD5414N, NVD5484NL, NVD5490NL, NVD5802N, NVD5805N, NVD5806N, NVD5807N, NVD5890NL