NVDD5894NL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NVDD5894NL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 64 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 30.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 259 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK-5

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NVDD5894NL

NVDD5894NL Datasheet (PDF)

..1. Size:115K onsemi
nvdd5894nl.pdf

NVDD5894NLPower MOSFET40 V, 10 mW, 64 A, Dual N-ChannelDPAK-5LFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseshttp://onsemi.com High Current Capability Avalanche Energy SpecifiedV(BR)DSS RDS(on) Max ID Max AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 10 mW @ 10 V40 V 64 ACompliant14.5 mW @ 4.5 VM

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Liste

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