NVDD5894NL Todos los transistores

 

NVDD5894NL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NVDD5894NL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 64 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 259 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK-5
 

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NVDD5894NL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:115K  onsemi
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NVDD5894NL

NVDD5894NLPower MOSFET40 V, 10 mW, 64 A, Dual N-ChannelDPAK-5LFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseshttp://onsemi.com High Current Capability Avalanche Energy SpecifiedV(BR)DSS RDS(on) Max ID Max AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 10 mW @ 10 V40 V 64 ACompliant14.5 mW @ 4.5 VM

Otros transistores... NVD6414AN , NVD6415AN , NVD6416AN , NVD6416ANL , NVD6495NL , NVD6820NL , NVD6824NL , NVD6828NL , IRFZ44N , NVE4153N , NVF2201N , NVF2955 , NVF3055-100 , NVF3055L108 , NVF5P03 , NVF6P02 , NVGS3130N .

History: RJK60S5DPK-M0 | AP6N1R7CDT | VP3203N3 | GP2M007A065XG | SPI21N50C3 | MPVU5N50CCFD | AP4501AGEM-HF

 

 
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