NVDD5894NL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NVDD5894NL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 30.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 259 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: DPAK-5
Аналог (замена) для NVDD5894NL
NVDD5894NL Datasheet (PDF)
nvdd5894nl.pdf
NVDD5894NLPower MOSFET40 V, 10 mW, 64 A, Dual N-ChannelDPAK-5LFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseshttp://onsemi.com High Current Capability Avalanche Energy SpecifiedV(BR)DSS RDS(on) Max ID Max AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 10 mW @ 10 V40 V 64 ACompliant14.5 mW @ 4.5 VM
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918