NVDD5894NL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVDD5894NL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 259 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: DPAK-5

Аналог (замена) для NVDD5894NL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVDD5894NL даташит

 ..1. Size:115K  onsemi
 nvdd5894nl.pdf pdf_icon

NVDD5894NL

NVDD5894NL Power MOSFET 40 V, 10 mW, 64 A, Dual N-Channel DPAK-5L Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses http //onsemi.com High Current Capability Avalanche Energy Specified V(BR)DSS RDS(on) Max ID Max AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 10 mW @ 10 V 40 V 64 A Compliant 14.5 mW @ 4.5 V M

Другие IGBT... NVD6414AN, NVD6415AN, NVD6416AN, NVD6416ANL, NVD6495NL, NVD6820NL, NVD6824NL, NVD6828NL, IRFZ44N, NVE4153N, NVF2201N, NVF2955, NVF3055-100, NVF3055L108, NVF5P03, NVF6P02, NVGS3130N