NVE4153N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVE4153N  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.915 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm

Encapsulados: SC-89

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de NVE4153N MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

NVE4153N datasheet

 ..1. Size:67K  onsemi
 nva4153n nve4153n.pdf pdf_icon

NVE4153N

NTA4153N, NTE4153N, NVA4153N, NVE4153N Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89 http //onsemi.com Features Low RDS(on) Improving System Efficiency V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated 0.127 W @ 4.5 V ESD Protected Gate 0.170 W @ 2.5 V 20 V 915 mA NV Prefix for Automotive and Other Application

 ..2. Size:72K  onsemi
 nta4153n nte4153n nva4153n nve4153n.pdf pdf_icon

NVE4153N

NTA4153N, NTE4153N, NVA4153N, NVE4153N Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89 http //onsemi.com Features Low RDS(on) Improving System Efficiency V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated 0.127 W @ 4.5 V ESD Protected Gate 0.170 W @ 2.5 V 20 V 915 mA NV Prefix for Automotive and Other Application

Otros transistores... NVD6415AN, NVD6416AN, NVD6416ANL, NVD6495NL, NVD6820NL, NVD6824NL, NVD6828NL, NVDD5894NL, IRFZ44N, NVF2201N, NVF2955, NVF3055-100, NVF3055L108, NVF5P03, NVF6P02, NVGS3130N, NVGS3136P