NVE4153N Todos los transistores

 

NVE4153N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVE4153N

Código: VP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 6 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.915 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1.1 V

Carga de compuerta (Qg): 1.82 nC

Tiempo de elevación (tr): 4.4 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 16 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.23 Ohm

Empaquetado / Estuche: SC-89

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NVE4153N Datasheet (PDF)

1.1. nva4153n nve4153n.pdf Size:67K _update_mosfet

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NTA4153N, NTE4153N, NVA4153N, NVE4153N Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89 http://onsemi.com Features • Low RDS(on) Improving System Efficiency V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX • Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated 0.127 W @ 4.5 V • ESD Protected Gate 0.170 W @ 2.5 V 20 V 915 mA • NV Prefix for Automotive and Other Application

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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