NVE4153N Todos los transistores

 

NVE4153N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NVE4153N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.915 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-89
 

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NVE4153N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:67K  onsemi
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NVE4153N

NTA4153N, NTE4153N,NVA4153N, NVE4153NSmall Signal MOSFET20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89http://onsemi.comFeatures Low RDS(on) Improving System EfficiencyV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated0.127 W @ 4.5 V ESD Protected Gate0.170 W @ 2.5 V20 V 915 mA NV Prefix for Automotive and Other Application

 ..2. Size:72K  onsemi
 nta4153n nte4153n nva4153n nve4153n.pdf pdf_icon

NVE4153N

NTA4153N, NTE4153N,NVA4153N, NVE4153NSmall Signal MOSFET20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89http://onsemi.comFeatures Low RDS(on) Improving System EfficiencyV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated0.127 W @ 4.5 V ESD Protected Gate0.170 W @ 2.5 V20 V 915 mA NV Prefix for Automotive and Other Application

Otros transistores... NVD6415AN , NVD6416AN , NVD6416ANL , NVD6495NL , NVD6820NL , NVD6824NL , NVD6828NL , NVDD5894NL , IRF3205 , NVF2201N , NVF2955 , NVF3055-100 , NVF3055L108 , NVF5P03 , NVF6P02 , NVGS3130N , NVGS3136P .

History: HM3306 | PHD77NQ03T | SWD10N65K2 | SUD40N06-25L | MMIX1F180N25T | CRTT084NE6N | NP34N055IHE

 

 
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