Справочник MOSFET. NVE4153N

 

NVE4153N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVE4153N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.915 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: SC-89
 

 Аналог (замена) для NVE4153N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVE4153N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:67K  onsemi
 nva4153n nve4153n.pdf pdf_icon

NVE4153N

NTA4153N, NTE4153N,NVA4153N, NVE4153NSmall Signal MOSFET20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89http://onsemi.comFeatures Low RDS(on) Improving System EfficiencyV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated0.127 W @ 4.5 V ESD Protected Gate0.170 W @ 2.5 V20 V 915 mA NV Prefix for Automotive and Other Application

 ..2. Size:72K  onsemi
 nta4153n nte4153n nva4153n nve4153n.pdf pdf_icon

NVE4153N

NTA4153N, NTE4153N,NVA4153N, NVE4153NSmall Signal MOSFET20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89http://onsemi.comFeatures Low RDS(on) Improving System EfficiencyV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated0.127 W @ 4.5 V ESD Protected Gate0.170 W @ 2.5 V20 V 915 mA NV Prefix for Automotive and Other Application

Другие MOSFET... NVD6415AN , NVD6416AN , NVD6416ANL , NVD6495NL , NVD6820NL , NVD6824NL , NVD6828NL , NVDD5894NL , IRF3205 , NVF2201N , NVF2955 , NVF3055-100 , NVF3055L108 , NVF5P03 , NVF6P02 , NVGS3130N , NVGS3136P .

 

 
Back to Top

 


 
.