Справочник MOSFET. NVE4153N

 

NVE4153N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVE4153N
   Маркировка: VP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.915 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.82 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: SC-89
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NVE4153N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:67K  onsemi
 nva4153n nve4153n.pdf pdf_icon

NVE4153N

NTA4153N, NTE4153N,NVA4153N, NVE4153NSmall Signal MOSFET20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89http://onsemi.comFeatures Low RDS(on) Improving System EfficiencyV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated0.127 W @ 4.5 V ESD Protected Gate0.170 W @ 2.5 V20 V 915 mA NV Prefix for Automotive and Other Application

 ..2. Size:72K  onsemi
 nta4153n nte4153n nva4153n nve4153n.pdf pdf_icon

NVE4153N

NTA4153N, NTE4153N,NVA4153N, NVE4153NSmall Signal MOSFET20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89http://onsemi.comFeatures Low RDS(on) Improving System EfficiencyV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated0.127 W @ 4.5 V ESD Protected Gate0.170 W @ 2.5 V20 V 915 mA NV Prefix for Automotive and Other Application

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.