NVF5P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVF5P03

Código: 5P03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3.13 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V

Carga de compuerta (Qg): 15 nC

Tiempo de elevación (tr): 33 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 153 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.1 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT-223

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NVF5P03 Datasheet (PDF)

1.1. nvf5p03.pdf Size:103K _update_mosfet

NTF5P03, NVF5P03 Power MOSFET -5.2 A, -30 V P-Channel SOT-223 http://onsemi.com Features • Ultra Low RDS(on) -5.2 AMPERES, -30 VOLTS • Higher Efficiency Extending Battery Life RDS(on) = 100 mW • Logic Level Gate Drive • Miniature SOT-223 Surface Mount Package • Avalanche Energy Specified S • AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVF5P03T3G • These Devices are Pb-Free

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