NVF5P03 Todos los transistores

 

NVF5P03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NVF5P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.13 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 153 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
 

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NVF5P03 datasheet

 ..1. Size:103K  onsemi
 ntf5p03 nvf5p03.pdf pdf_icon

NVF5P03

NTF5P03, NVF5P03 Power MOSFET -5.2 A, -30 V P-Channel SOT-223 http //onsemi.com Features Ultra Low RDS(on) -5.2 AMPERES, -30 VOLTS Higher Efficiency Extending Battery Life RDS(on) = 100 mW Logic Level Gate Drive Miniature SOT-223 Surface Mount Package Avalanche Energy Specified S AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVF5P03T3G These Devices are Pb-Free

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