NVF5P03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVF5P03  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.13 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 153 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NVF5P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVF5P03 даташит

 ..1. Size:103K  onsemi
 ntf5p03 nvf5p03.pdf pdf_icon

NVF5P03

NTF5P03, NVF5P03 Power MOSFET -5.2 A, -30 V P-Channel SOT-223 http //onsemi.com Features Ultra Low RDS(on) -5.2 AMPERES, -30 VOLTS Higher Efficiency Extending Battery Life RDS(on) = 100 mW Logic Level Gate Drive Miniature SOT-223 Surface Mount Package Avalanche Energy Specified S AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVF5P03T3G These Devices are Pb-Free

Другие IGBT... NVD6824NL, NVD6828NL, NVDD5894NL, NVE4153N, NVF2201N, NVF2955, NVF3055-100, NVF3055L108, IRF540, NVF6P02, NVGS3130N, NVGS3136P, NVGS3441, NVGS3443, NVGS4111P, NVGS4141N, NVGS5120P