NVF6P02 Todos los transistores

 

NVF6P02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVF6P02

Código: 6P02

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 8.3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1 V

Carga de compuerta (Qg): 15 nC

Tiempo de elevación (tr): 25 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 350 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.05 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT-223

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NVF6P02 Datasheet (PDF)

1.1. nvf6p02.pdf Size:102K _update_mosfet

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NTF6P02, NVF6P02 Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts P-Channel SOT-223 http://onsemi.com Features • Low RDS(on) -10 AMPERES • Logic Level Gate Drive -20 VOLTS • Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery RDS(on) = 44 mW (Typ.) • Avalanche Energy Specified • NVF Prefix for Automotive and Other Applications Requiring S Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qua

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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