NVF6P02 Todos los transistores

 

NVF6P02 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NVF6P02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 8.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
 

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NVF6P02 datasheet

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NVF6P02

NTF6P02, NVF6P02 Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts P-Channel SOT-223 http //onsemi.com Features Low RDS(on) -10 AMPERES Logic Level Gate Drive -20 VOLTS Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery RDS(on) = 44 mW (Typ.) Avalanche Energy Specified NVF Prefix for Automotive and Other Applications Requiring S Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qua

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NVF6P02

NTF6P02, NVF6P02 MOSFET Power, P-Channel, SOT-223 -10 A, -20 V Features www.onsemi.com Low RDS(on) -10 AMPERES Logic Level Gate Drive Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery -20 VOLTS Avalanche Energy Specified RDS(on) = 44 mW (Typ.) NVF Prefix for Automotive and Other Applications Requiring S Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualifie

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