Справочник MOSFET. NVF6P02

 

NVF6P02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVF6P02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для NVF6P02

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVF6P02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:102K  onsemi
 nvf6p02.pdf pdf_icon

NVF6P02

NTF6P02, NVF6P02Power MOSFET-10 Amps, -20 VoltsP-Channel SOT-223http://onsemi.comFeatures Low RDS(on)-10 AMPERES Logic Level Gate Drive-20 VOLTS Diode Exhibits High Speed, Soft RecoveryRDS(on) = 44 mW (Typ.) Avalanche Energy Specified NVF Prefix for Automotive and Other Applications RequiringSUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qua

 ..2. Size:206K  onsemi
 ntf6p02 nvf6p02.pdf pdf_icon

NVF6P02

NTF6P02, NVF6P02MOSFET Power,P-Channel, SOT-223-10 A, -20 VFeatureswww.onsemi.com Low RDS(on)-10 AMPERES Logic Level Gate Drive Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery -20 VOLTS Avalanche Energy SpecifiedRDS(on) = 44 mW (Typ.) NVF Prefix for Automotive and Other Applications RequiringSUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualifie

Другие MOSFET... NVD6828NL , NVDD5894NL , NVE4153N , NVF2201N , NVF2955 , NVF3055-100 , NVF3055L108 , NVF5P03 , 50N06 , NVGS3130N , NVGS3136P , NVGS3441 , NVGS3443 , NVGS4111P , NVGS4141N , NVGS5120P , NVJD4152P .

 

 
Back to Top

 


 
.