NVF6P02 - описание и поиск аналогов

 

NVF6P02. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NVF6P02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для NVF6P02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVF6P02 даташит

 ..1. Size:102K  onsemi
 nvf6p02.pdf pdf_icon

NVF6P02

NTF6P02, NVF6P02 Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts P-Channel SOT-223 http //onsemi.com Features Low RDS(on) -10 AMPERES Logic Level Gate Drive -20 VOLTS Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery RDS(on) = 44 mW (Typ.) Avalanche Energy Specified NVF Prefix for Automotive and Other Applications Requiring S Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qua

 ..2. Size:206K  onsemi
 ntf6p02 nvf6p02.pdf pdf_icon

NVF6P02

NTF6P02, NVF6P02 MOSFET Power, P-Channel, SOT-223 -10 A, -20 V Features www.onsemi.com Low RDS(on) -10 AMPERES Logic Level Gate Drive Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery -20 VOLTS Avalanche Energy Specified RDS(on) = 44 mW (Typ.) NVF Prefix for Automotive and Other Applications Requiring S Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualifie

Другие MOSFET... NVD6828NL , NVDD5894NL , NVE4153N , NVF2201N , NVF2955 , NVF3055-100 , NVF3055L108 , NVF5P03 , 50N06 , NVGS3130N , NVGS3136P , NVGS3441 , NVGS3443 , NVGS4111P , NVGS4141N , NVGS5120P , NVJD4152P .

History: BUK9610-30 | BUK9620-55

 

 

 

 

↑ Back to Top
.