Справочник MOSFET. NVF6P02

 

NVF6P02 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: NVF6P02

Маркировка: 6P02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 8.3 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 15 nC

Время нарастания (tr): 25 ns

Выходная емкость (Cd): 350 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для NVF6P02

 

 

NVF6P02 Datasheet (PDF)

1.1. nvf6p02.pdf Size:102K _update_mosfet

NVF6P02
NVF6P02

NTF6P02, NVF6P02 Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts P-Channel SOT-223 http://onsemi.com Features • Low RDS(on) -10 AMPERES • Logic Level Gate Drive -20 VOLTS • Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery RDS(on) = 44 mW (Typ.) • Avalanche Energy Specified • NVF Prefix for Automotive and Other Applications Requiring S Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qua

Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top