PHD2N50E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHD2N50E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT428
Búsqueda de reemplazo de PHD2N50E MOSFET
PHD2N50E Datasheet (PDF)
php2n50e phb2n50e phd2n50e.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP2N50E, PHB2N50E, PHD2N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 2 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 5 sGENERAL DESCRIPTIONN-channe
php2n60e phb2n60e phd2n60e.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP2N60E, PHB2N60E, PHD2N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 1.9 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 6 sGENERAL DESCRIPTIONN-chan
Otros transistores... PHB7N60E , PHB80N06LT , PHB87N03LT , PHB8N50E , PHB8ND50E , PHB9N60E , PHD10N10E , PHD12N10E , 5N65 , PHD2N60E , PHD3055E , PHD3N40E , PHD45N03LT , PHD50N03LT , PHD55N03LT , PHD69N03LT , PHD6N10E .
History: PHD10N10E | AU5N65S | RFG50N06
History: PHD10N10E | AU5N65S | RFG50N06
Liste
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