Справочник MOSFET. PHD2N50E

 

PHD2N50E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHD2N50E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: SOT428
 

 Аналог (замена) для PHD2N50E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD2N50E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  philips
 php2n50e phb2n50e phd2n50e.pdf pdf_icon

PHD2N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP2N50E, PHB2N50E, PHD2N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 2 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 5 sGENERAL DESCRIPTIONN-channe

 9.1. Size:75K  philips
 php2n60e phb2n60e phd2n60e.pdf pdf_icon

PHD2N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP2N60E, PHB2N60E, PHD2N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 1.9 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 6 sGENERAL DESCRIPTIONN-chan

Другие MOSFET... PHB7N60E , PHB80N06LT , PHB87N03LT , PHB8N50E , PHB8ND50E , PHB9N60E , PHD10N10E , PHD12N10E , IRLB4132 , PHD2N60E , PHD3055E , PHD3N40E , PHD45N03LT , PHD50N03LT , PHD55N03LT , PHD69N03LT , PHD6N10E .

History: STM4446 | FDS89161 | ZVN4310GTA

 

 
Back to Top

 


 
.