PHD2N50E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHD2N50E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: SOT428

Аналог (замена) для PHD2N50E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD2N50E даташит

 ..1. Size:73K  philips
 php2n50e phb2n50e phd2n50e.pdf pdf_icon

PHD2N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP2N50E, PHB2N50E, PHD2N50E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 2 A g Low thermal resistance RDS(ON) 5 s GENERAL DESCRIPTION N-channe

 9.1. Size:75K  philips
 php2n60e phb2n60e phd2n60e.pdf pdf_icon

PHD2N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP2N60E, PHB2N60E, PHD2N60E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 1.9 A g Low thermal resistance RDS(ON) 6 s GENERAL DESCRIPTION N-chan

Другие IGBT... PHB7N60E, PHB80N06LT, PHB87N03LT, PHB8N50E, PHB8ND50E, PHB9N60E, PHD10N10E, PHD12N10E, CS150N03A8, PHD2N60E, PHD3055E, PHD3N40E, PHD45N03LT, PHD50N03LT, PHD55N03LT, PHD69N03LT, PHD6N10E