NVGS4111P Todos los transistores

 

NVGS4111P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVGS4111P

Código: VTG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.25 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3.7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V

Carga de compuerta (Qg): 15.25 nC

Tiempo de elevación (tr): 15 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 140 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.06 Ohm

Empaquetado / Estuche: SC-88

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NVGS4111P Datasheet (PDF)

1.1. nvgs4111p.pdf Size:113K _update_mosfet

NVGS4111P
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NTGS4111P, NVGS4111P Power MOSFET -30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6 Features • Leading -30 V Trench Process for Low RDS(on) • Low Profile Package Suitable for Portable Applications http://onsemi.com • Surface Mount TSOP-6 Package Saves Board Space V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX • Improved Efficiency for Battery Applications • NV Prefix for Automotive and Other Applications

4.1. nvgs4141n.pdf Size:113K _update_mosfet

NVGS4111P
NVGS4111P

NTGS4141N, NVGS4141N Power MOSFET 30 V, 7.0 A, Single N-Channel, TSOP-6 Features • Low RDS(on) • Low Gate Charge • NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique http://onsemi.com Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX • Pb-Free Package is Available 21.5 mW @ 10 V Applications 30 V 7.0 A 30 mW

 

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