NVGS4111P datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NVGS4111P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: SC-88
Аналог (замена) для NVGS4111P
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NVGS4111P даташит
ntgs4111p nvgs4111p.pdf
NTGS4111P, NVGS4111P MOSFET Power, Single, P-Channel, TSOP-6 -30 V, -4.7 A Features http //onsemi.com Leading -30 V Trench Process for Low RDS(on) Low Profile Package Suitable for Portable Applications V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Surface Mount TSOP-6 Package Saves Board Space 38 mW @ -10 V Improved Efficiency for Battery Applications -30 V -4.7 A 68 mW @ -4.5 V
nvgs4111p.pdf
NTGS4111P, NVGS4111P Power MOSFET -30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6 Features Leading -30 V Trench Process for Low RDS(on) Low Profile Package Suitable for Portable Applications http //onsemi.com Surface Mount TSOP-6 Package Saves Board Space V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Improved Efficiency for Battery Applications NV Prefix for Automotive and Other Applications
ntgs4141n nvgs4141n.pdf
NTGS4141N, NVGS4141N MOSFET Power, Single, N-Channel, TSOP-6 30 V, 7.0 A Features Low RDS(on) http //onsemi.com Low Gate Charge NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 21.5 mW @ 10 V Pb-Free Package is Available 30 V 7.0 A 30 mW @ 4.5
nvgs4141n.pdf
NTGS4141N, NVGS4141N Power MOSFET 30 V, 7.0 A, Single N-Channel, TSOP-6 Features Low RDS(on) Low Gate Charge NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique http //onsemi.com Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Pb-Free Package is Available 21.5 mW @ 10 V Applications 30 V 7.0 A 30 mW
Другие IGBT... NVF3055-100, NVF3055L108, NVF5P03, NVF6P02, NVGS3130N, NVGS3136P, NVGS3441, NVGS3443, IRLZ44N, NVGS4141N, NVGS5120P, NVJD4152P, NVJD4158C, NVJD4401N, NVJD5121N, NVJS3151P, NVJS4151P
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60 | ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ
Popular searches
a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet




