NVGS4111P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NVGS4111P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: SC-88
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
NVGS4111P Datasheet (PDF)
ntgs4111p nvgs4111p.pdf

NTGS4111P, NVGS4111PMOSFET Power, Single,P-Channel, TSOP-6-30 V, -4.7 AFeatureshttp://onsemi.com Leading -30 V Trench Process for Low RDS(on) Low Profile Package Suitable for Portable ApplicationsV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Surface Mount TSOP-6 Package Saves Board Space38 mW @ -10 V Improved Efficiency for Battery Applications-30 V -4.7 A68 mW @ -4.5 V
nvgs4111p.pdf

NTGS4111P, NVGS4111PPower MOSFET-30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6Features Leading -30 V Trench Process for Low RDS(on) Low Profile Package Suitable for Portable Applications http://onsemi.com Surface Mount TSOP-6 Package Saves Board SpaceV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Improved Efficiency for Battery Applications NV Prefix for Automotive and Other Applications
ntgs4141n nvgs4141n.pdf

NTGS4141N, NVGS4141NMOSFET Power, Single,N-Channel, TSOP-630 V, 7.0 AFeatures Low RDS(on)http://onsemi.com Low Gate Charge NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andPPAP Capable21.5 mW @ 10 V Pb-Free Package is Available30 V 7.0 A30 mW @ 4.5
nvgs4141n.pdf

NTGS4141N, NVGS4141NPower MOSFET30 V, 7.0 A, Single N-Channel, TSOP-6Features Low RDS(on) Low Gate Charge NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Uniquehttp://onsemi.comSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andPPAP CapableV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Pb-Free Package is Available21.5 mW @ 10 VApplications 30 V 7.0 A30 mW
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: RUH40190M | FCA47N60F | IPN50R650CE | WMN14N60C4 | 7N10G-AA3 | MMN600DB015B | FM600TU-3A
History: RUH40190M | FCA47N60F | IPN50R650CE | WMN14N60C4 | 7N10G-AA3 | MMN600DB015B | FM600TU-3A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet