NVGS4111P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NVGS4111P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: SC-88
Аналог (замена) для NVGS4111P
NVGS4111P Datasheet (PDF)
ntgs4111p nvgs4111p.pdf

NTGS4111P, NVGS4111PMOSFET Power, Single,P-Channel, TSOP-6-30 V, -4.7 AFeatureshttp://onsemi.com Leading -30 V Trench Process for Low RDS(on) Low Profile Package Suitable for Portable ApplicationsV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Surface Mount TSOP-6 Package Saves Board Space38 mW @ -10 V Improved Efficiency for Battery Applications-30 V -4.7 A68 mW @ -4.5 V
nvgs4111p.pdf

NTGS4111P, NVGS4111PPower MOSFET-30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6Features Leading -30 V Trench Process for Low RDS(on) Low Profile Package Suitable for Portable Applications http://onsemi.com Surface Mount TSOP-6 Package Saves Board SpaceV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Improved Efficiency for Battery Applications NV Prefix for Automotive and Other Applications
ntgs4141n nvgs4141n.pdf

NTGS4141N, NVGS4141NMOSFET Power, Single,N-Channel, TSOP-630 V, 7.0 AFeatures Low RDS(on)http://onsemi.com Low Gate Charge NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andPPAP Capable21.5 mW @ 10 V Pb-Free Package is Available30 V 7.0 A30 mW @ 4.5
nvgs4141n.pdf

NTGS4141N, NVGS4141NPower MOSFET30 V, 7.0 A, Single N-Channel, TSOP-6Features Low RDS(on) Low Gate Charge NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Uniquehttp://onsemi.comSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andPPAP CapableV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Pb-Free Package is Available21.5 mW @ 10 VApplications 30 V 7.0 A30 mW
Другие MOSFET... NVF3055-100 , NVF3055L108 , NVF5P03 , NVF6P02 , NVGS3130N , NVGS3136P , NVGS3441 , NVGS3443 , IRFP260N , NVGS4141N , NVGS5120P , NVJD4152P , NVJD4158C , NVJD4401N , NVJD5121N , NVJS3151P , NVJS4151P .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet