NVGS5120P Todos los transistores

 

NVGS5120P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVGS5120P

Código: VP6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V

Carga de compuerta (Qg): 18.1 nC

Tiempo de elevación (tr): 4.9 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 72 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.111 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSOP-6

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NVGS5120P Datasheet (PDF)

1.1. nvgs5120p.pdf Size:108K _update_mosfet

NVGS5120P
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NTGS5120P, NVGS5120P Power MOSFET -60 V, -2.9 A, Single P-Channel, TSOP-6 Features • 60 V BVds, Low RDS(on) in TSOP-6 Package • 4.5 V Gate Rating http://onsemi.com • NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX • This is a Pb-Free Device 111 mW @ -10 V -

Otros transistores... 2P7145B-IM , 2P7145B-5-IM , 2P7172A , 2P7172A-5 , 2P7233A , 2P7233A-5 , 2P7209A , 2P7234A , IRF1010E , SI2300 , SI2302 , SI2312 , XP151A13COMR , AO3400 , PT8205 , PT8205A , PT8822 .

 
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