NVGS5120P Todos los transistores

 

NVGS5120P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NVGS5120P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.111 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
 

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NVGS5120P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  onsemi
 nvgs5120p.pdf pdf_icon

NVGS5120P

NTGS5120P, NVGS5120PPower MOSFET-60 V, -2.9 A, Single P-Channel, TSOP-6Features 60 V BVds, Low RDS(on) in TSOP-6 Package 4.5 V Gate Ratinghttp://onsemi.com NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andPPAP CapableV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX This is a Pb-Free Device111 mW @ -10 V-

 ..2. Size:196K  onsemi
 ntgs5120p nvgs5120p.pdf pdf_icon

NVGS5120P

NTGS5120P, NVGS5120PMOSFET Power, Single,P-Channel, TSOP-6-60 V, -2.9 AFeatureshttp://onsemi.com 60 V BVds, Low RDS(on) in TSOP-6 Package 4.5 V Gate Rating NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and111 mW @ -10 VPPAP Capable-60 V -2.9 A142 mW @ -4

Otros transistores... NVF5P03 , NVF6P02 , NVGS3130N , NVGS3136P , NVGS3441 , NVGS3443 , NVGS4111P , NVGS4141N , IRF630 , NVJD4152P , NVJD4158C , NVJD4401N , NVJD5121N , NVJS3151P , NVJS4151P , NVJS4405N , NVLJD4007NZ .

 

 
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