Справочник MOSFET. NVGS5120P

 

NVGS5120P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVGS5120P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.111 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NVGS5120P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  onsemi
 nvgs5120p.pdf pdf_icon

NVGS5120P

NTGS5120P, NVGS5120PPower MOSFET-60 V, -2.9 A, Single P-Channel, TSOP-6Features 60 V BVds, Low RDS(on) in TSOP-6 Package 4.5 V Gate Ratinghttp://onsemi.com NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andPPAP CapableV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX This is a Pb-Free Device111 mW @ -10 V-

 ..2. Size:196K  onsemi
 ntgs5120p nvgs5120p.pdf pdf_icon

NVGS5120P

NTGS5120P, NVGS5120PMOSFET Power, Single,P-Channel, TSOP-6-60 V, -2.9 AFeatureshttp://onsemi.com 60 V BVds, Low RDS(on) in TSOP-6 Package 4.5 V Gate Rating NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and111 mW @ -10 VPPAP Capable-60 V -2.9 A142 mW @ -4

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ZXMP7A17GTA | SIHFU214 | 2SK3572-Z | FDI2532 | STFI13N95K3 | APT10050B2VFRG | CEP20P06

 

 
Back to Top

 


 
.