NVGS5120P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVGS5120P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.111 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NVGS5120P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVGS5120P даташит

 ..1. Size:108K  onsemi
 nvgs5120p.pdf pdf_icon

NVGS5120P

NTGS5120P, NVGS5120P Power MOSFET -60 V, -2.9 A, Single P-Channel, TSOP-6 Features 60 V BVds, Low RDS(on) in TSOP-6 Package 4.5 V Gate Rating http //onsemi.com NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX This is a Pb-Free Device 111 mW @ -10 V -

 ..2. Size:196K  onsemi
 ntgs5120p nvgs5120p.pdf pdf_icon

NVGS5120P

NTGS5120P, NVGS5120P MOSFET Power, Single, P-Channel, TSOP-6 -60 V, -2.9 A Features http //onsemi.com 60 V BVds, Low RDS(on) in TSOP-6 Package 4.5 V Gate Rating NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and 111 mW @ -10 V PPAP Capable -60 V -2.9 A 142 mW @ -4

Другие IGBT... NVF5P03, NVF6P02, NVGS3130N, NVGS3136P, NVGS3441, NVGS3443, NVGS4111P, NVGS4141N, IRFP260N, NVJD4152P, NVJD4158C, NVJD4401N, NVJD5121N, NVJS3151P, NVJS4151P, NVJS4405N, NVLJD4007NZ