Справочник MOSFET. NVGS5120P

 

NVGS5120P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: NVGS5120P

Маркировка: VP6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.1 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 18.1 nC

Время нарастания (tr): 4.9 ns

Выходная емкость (Cd): 72 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.111 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для NVGS5120P

 

 

NVGS5120P Datasheet (PDF)

1.1. nvgs5120p.pdf Size:108K _update_mosfet

NVGS5120P
NVGS5120P

NTGS5120P, NVGS5120P Power MOSFET -60 V, -2.9 A, Single P-Channel, TSOP-6 Features • 60 V BVds, Low RDS(on) in TSOP-6 Package • 4.5 V Gate Rating http://onsemi.com • NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX • This is a Pb-Free Device 111 mW @ -10 V -

Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top