Справочник MOSFET. NVGS5120P

 

NVGS5120P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVGS5120P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.111 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для NVGS5120P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVGS5120P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  onsemi
 nvgs5120p.pdf pdf_icon

NVGS5120P

NTGS5120P, NVGS5120PPower MOSFET-60 V, -2.9 A, Single P-Channel, TSOP-6Features 60 V BVds, Low RDS(on) in TSOP-6 Package 4.5 V Gate Ratinghttp://onsemi.com NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andPPAP CapableV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX This is a Pb-Free Device111 mW @ -10 V-

 ..2. Size:196K  onsemi
 ntgs5120p nvgs5120p.pdf pdf_icon

NVGS5120P

NTGS5120P, NVGS5120PMOSFET Power, Single,P-Channel, TSOP-6-60 V, -2.9 AFeatureshttp://onsemi.com 60 V BVds, Low RDS(on) in TSOP-6 Package 4.5 V Gate Rating NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and111 mW @ -10 VPPAP Capable-60 V -2.9 A142 mW @ -4

Другие MOSFET... NVF5P03 , NVF6P02 , NVGS3130N , NVGS3136P , NVGS3441 , NVGS3443 , NVGS4111P , NVGS4141N , IRF630 , NVJD4152P , NVJD4158C , NVJD4401N , NVJD5121N , NVJS3151P , NVJS4151P , NVJS4405N , NVLJD4007NZ .

History: VBA1310S | AO3415A | 2SK2162 | BUK9M53-60E | TSM40N03PQ56 | HMS25N65D

 

 
Back to Top

 


 
.