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NVJD4152P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVJD4152P

Código: VTK

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.35 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1.2 V

Carga de compuerta (Qg): 2.2 nC

Tiempo de elevación (tr): 6.5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 25 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.26 Ohm

Empaquetado / Estuche: SC-88

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NVJD4152P Datasheet (PDF)

1.1. nvjd4152p.pdf Size:65K _update_mosfet

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NTJD4152P, NVJD4152P Trench Small Signal MOSFET 20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, ESD Protected SC-88 Features • Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Performance www.onsemi.com • Small Footprint Package (SC70-6 Equivalent) • ESD Protected Gate V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max • NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 215 mW @ -4.5 V Site and Control Ch

3.1. nvjd4158c.pdf Size:82K _update_mosfet

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NTJD4158C, NVJD4158C Small Signal MOSFET 30 V/-20 V, +0.25/-0.88 A, Complementary, SC-88 Features • Leading 20 V Trench for Low RDS(on) Performance www.onsemi.com • ESD Protected Gate • SC-88 Package for Small Footprint (2 x 2 mm) V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max • NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 1.0 W @ 4.5 V N-Ch Site and Control Change Require

 5.1. nvjd4401n.pdf Size:62K _update_mosfet

NVJD4152P
NVJD4152P

NTJD4401N, NVJD4401N Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection Features • Small Footprint (2 x 2 mm) www.onsemi.com • Low Gate Charge N-Channel Device • ESD Protected Gate • Same Package as SC-70 (6 Leads) V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max • AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVJD4401N 0.29 W @ 4.5 V • These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant

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