Справочник MOSFET. NVJD4152P

 

NVJD4152P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: NVJD4152P

Маркировка: VTK

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.35 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 2.2 nC

Время нарастания (tr): 6.5 ns

Выходная емкость (Cd): 25 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.26 Ohm

Тип корпуса: SC-88

Аналог (замена) для NVJD4152P

 

NVJD4152P Datasheet (PDF)

1.1. nvjd4152p.pdf Size:65K _update_mosfet

NVJD4152P
NVJD4152P

NTJD4152P, NVJD4152P Trench Small Signal MOSFET 20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, ESD Protected SC-88 Features • Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Performance www.onsemi.com • Small Footprint Package (SC70-6 Equivalent) • ESD Protected Gate V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max • NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 215 mW @ -4.5 V Site and Control Ch

3.1. nvjd4158c.pdf Size:82K _update_mosfet

NVJD4152P
NVJD4152P

NTJD4158C, NVJD4158C Small Signal MOSFET 30 V/-20 V, +0.25/-0.88 A, Complementary, SC-88 Features • Leading 20 V Trench for Low RDS(on) Performance www.onsemi.com • ESD Protected Gate • SC-88 Package for Small Footprint (2 x 2 mm) V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max • NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 1.0 W @ 4.5 V N-Ch Site and Control Change Require

 5.1. nvjd4401n.pdf Size:62K _update_mosfet

NVJD4152P
NVJD4152P

NTJD4401N, NVJD4401N Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection Features • Small Footprint (2 x 2 mm) www.onsemi.com • Low Gate Charge N-Channel Device • ESD Protected Gate • Same Package as SC-70 (6 Leads) V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max • AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVJD4401N 0.29 W @ 4.5 V • These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant

Другие MOSFET... NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , IRF740 , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 .

 

Back to Top