Справочник MOSFET. NVJD4152P

 

NVJD4152P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVJD4152P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: SC-88
 

 Аналог (замена) для NVJD4152P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVJD4152P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:126K  onsemi
ntjd4152p nvjd4152p.pdfpdf_icon

NVJD4152P

NTJD4152P, NVJD4152PMOSFET Dual, P-Channel,Trench Small Signal, ESDProtected, SC-8820 V, 0.88 AFeatureswww.onsemi.com Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Performance Small Footprint Package (SC70-6 Equivalent)V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max ESD Protected Gate215 mW @ -4.5 V NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique-20 VSite an

 ..2. Size:65K  onsemi
nvjd4152p.pdfpdf_icon

NVJD4152P

NTJD4152P, NVJD4152PTrench Small SignalMOSFET20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, ESD Protected SC-88Features Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Performancewww.onsemi.com Small Footprint Package (SC70-6 Equivalent) ESD Protected GateV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique215 mW @ -4.5 VSite and Control Ch

 7.1. Size:82K  onsemi
nvjd4158c.pdfpdf_icon

NVJD4152P

NTJD4158C, NVJD4158CSmall Signal MOSFET30 V/-20 V, +0.25/-0.88 A,Complementary, SC-88Features Leading 20 V Trench for Low RDS(on) Performancewww.onsemi.com ESD Protected Gate SC-88 Package for Small Footprint (2 x 2 mm)V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique1.0 W @ 4.5 VN-ChSite and Control Change Require

 7.2. Size:142K  onsemi
ntjd4158c nvjd4158c.pdfpdf_icon

NVJD4152P

NTJD4158C, NVJD4158CMOSFET Small Signal,Complementary, SC-8830 V/-20 V, +0.25/-0.88 AFeatureswww.onsemi.com Leading 20 V Trench for Low RDS(on) Performance ESD Protected GateV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SC-88 Package for Small Footprint (2 x 2 mm)1.0 W @ 4.5 V NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueN-Ch0.25 A30 VSite and Cont

Другие MOSFET... NVF6P02 , NVGS3130N , NVGS3136P , NVGS3441 , NVGS3443 , NVGS4111P , NVGS4141N , NVGS5120P , 10N60 , NVJD4158C , NVJD4401N , NVJD5121N , NVJS3151P , NVJS4151P , NVJS4405N , NVLJD4007NZ , NVLUS4C12N .

History: STW12NA60 | CTD06N017 | TPCA8009-H | BSC360N15NS3G | AP4503BGO-HF | JCS13AN50SC

 

 
Back to Top

 


 
.