NVJD5121N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVJD5121N

Código: VTF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.295 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.9 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.4 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm

Encapsulados: SOT-363

 Búsqueda de reemplazo de NVJD5121N MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

NVJD5121N datasheet

 ..1. Size:69K  onsemi
 ntjd5121n nvjd5121n.pdf pdf_icon

NVJD5121N

NTJD5121N, NVJD5121N Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SC-88 Features Low RDS(on) www.onsemi.com www.onsemi.com Low Gate Threshold Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max ESD Protected Gate 1.6 W @ 10 V 295 mA NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 60 V 2.5 W @ 4.5 V Site and Control Change Requ

 ..2. Size:64K  onsemi
 nvjd5121n.pdf pdf_icon

NVJD5121N

NTJD5121N, NVJD5121N Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SC-88 Features Low RDS(on) www.onsemi.com www.onsemi.com Low Gate Threshold Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max ESD Protected Gate 1.6 W @ 10 V 295 mA NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 60 V 2.5 W @ 4.5 V Site and Control Change Requ

Otros transistores... NVGS3441, NVGS3443, NVGS4111P, NVGS4141N, NVGS5120P, NVJD4152P, NVJD4158C, NVJD4401N, IRF3710, NVJS3151P, NVJS4151P, NVJS4405N, NVLJD4007NZ, NVLUS4C12N, NVMD3P03, NVMD4N03, NVMD6N03R2G