NVJD5121N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NVJD5121N
Código: VTF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.295 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 0.9 nC
Tiempo de subida (tr): 34 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 4.4 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.6 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NVJD5121N
NVJD5121N Datasheet (PDF)
ntjd5121n nvjd5121n.pdf
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NTJD5121N, NVJD5121NPower MOSFET60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESDProtection, SC-88Features Low RDS(on)www.onsemi.comwww.onsemi.com Low Gate Threshold Low Input CapacitanceV(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max ESD Protected Gate1.6 W @ 10 V295 mA NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 60 V2.5 W @ 4.5 VSite and Control Change Requ
nvjd5121n.pdf
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