NVJD5121N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NVJD5121N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.295 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.4 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363
Búsqueda de reemplazo de NVJD5121N MOSFET
NVJD5121N Datasheet (PDF)
ntjd5121n nvjd5121n.pdf
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nvjd5121n.pdf
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Liste
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