NVJD5121N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVJD5121N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.295 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для NVJD5121N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVJD5121N даташит

 ..1. Size:69K  onsemi
 ntjd5121n nvjd5121n.pdf pdf_icon

NVJD5121N

NTJD5121N, NVJD5121N Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SC-88 Features Low RDS(on) www.onsemi.com www.onsemi.com Low Gate Threshold Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max ESD Protected Gate 1.6 W @ 10 V 295 mA NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 60 V 2.5 W @ 4.5 V Site and Control Change Requ

 ..2. Size:64K  onsemi
 nvjd5121n.pdf pdf_icon

NVJD5121N

NTJD5121N, NVJD5121N Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SC-88 Features Low RDS(on) www.onsemi.com www.onsemi.com Low Gate Threshold Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max ESD Protected Gate 1.6 W @ 10 V 295 mA NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 60 V 2.5 W @ 4.5 V Site and Control Change Requ

Другие IGBT... NVGS3441, NVGS3443, NVGS4111P, NVGS4141N, NVGS5120P, NVJD4152P, NVJD4158C, NVJD4401N, IRF3710, NVJS3151P, NVJS4151P, NVJS4405N, NVLJD4007NZ, NVLUS4C12N, NVMD3P03, NVMD4N03, NVMD6N03R2G