Справочник MOSFET. NVJD5121N

 

NVJD5121N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVJD5121N
   Маркировка: VTF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.295 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 0.9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4.4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для NVJD5121N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVJD5121N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:69K  onsemi
 ntjd5121n nvjd5121n.pdf pdf_icon

NVJD5121N

NTJD5121N, NVJD5121NPower MOSFET60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESDProtection, SC-88Features Low RDS(on)www.onsemi.comwww.onsemi.com Low Gate Threshold Low Input CapacitanceV(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max ESD Protected Gate1.6 W @ 10 V295 mA NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 60 V2.5 W @ 4.5 VSite and Control Change Requ

 ..2. Size:64K  onsemi
 nvjd5121n.pdf pdf_icon

NVJD5121N

NTJD5121N, NVJD5121NPower MOSFET60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESDProtection, SC-88Features Low RDS(on)www.onsemi.comwww.onsemi.com Low Gate Threshold Low Input CapacitanceV(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max ESD Protected Gate1.6 W @ 10 V295 mA NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 60 V2.5 W @ 4.5 VSite and Control Change Requ

Другие MOSFET... NVGS3441 , NVGS3443 , NVGS4111P , NVGS4141N , NVGS5120P , NVJD4152P , NVJD4158C , NVJD4401N , P55NF06 , NVJS3151P , NVJS4151P , NVJS4405N , NVLJD4007NZ , NVLUS4C12N , NVMD3P03 , NVMD4N03 , NVMD6N03R2G .

 

 
Back to Top

 


 
.