NVJS3151P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NVJS3151P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.625 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363
Búsqueda de reemplazo de NVJS3151P MOSFET
NVJS3151P Datasheet (PDF)
nvjs3151p.pdf
NTJS3151P, NVJS3151PTrench Power MOSFET12 V, 3.3 A, Single P-Channel, ESD Protected SC-88Featureswww.onsemi.com Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Life SC-88 Small Outline (2x2 mm, SC70-6 Equivalent)V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Gate Diodes for ESD Protection45 mW @ -4.5 V NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique
ntjs3151p nvjs3151p.pdf
NTJS3151P, NVJS3151PTrench Power MOSFET12 V, 3.3 A, Single P-Channel, ESD Protected SC-88Featureswww.onsemi.com Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Life SC-88 Small Outline (2x2 mm, SC70-6 Equivalent)V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Gate Diodes for ESD Protection45 mW @ -4.5 V NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique
Otros transistores... NVGS3443 , NVGS4111P , NVGS4141N , NVGS5120P , NVJD4152P , NVJD4158C , NVJD4401N , NVJD5121N , IRFB4227 , NVJS4151P , NVJS4405N , NVLJD4007NZ , NVLUS4C12N , NVMD3P03 , NVMD4N03 , NVMD6N03R2G , NVMD6N04 .
Liste
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irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569