NVJS3151P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVJS3151P

Código: VTJ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.625 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.6 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 1.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: SOT-363

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NVJS3151P datasheet

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NVJS3151P

NTJS3151P, NVJS3151P Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P-Channel, ESD Protected SC-88 Features www.onsemi.com Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Life SC-88 Small Outline (2x2 mm, SC70-6 Equivalent) V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Gate Diodes for ESD Protection 45 mW @ -4.5 V NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

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NVJS3151P

NTJS3151P, NVJS3151P Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P-Channel, ESD Protected SC-88 Features www.onsemi.com Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Life SC-88 Small Outline (2x2 mm, SC70-6 Equivalent) V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Gate Diodes for ESD Protection 45 mW @ -4.5 V NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

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