Справочник MOSFET. NVJS3151P

 

NVJS3151P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVJS3151P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для NVJS3151P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVJS3151P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  onsemi
 nvjs3151p.pdf pdf_icon

NVJS3151P

NTJS3151P, NVJS3151PTrench Power MOSFET12 V, 3.3 A, Single P-Channel, ESD Protected SC-88Featureswww.onsemi.com Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Life SC-88 Small Outline (2x2 mm, SC70-6 Equivalent)V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Gate Diodes for ESD Protection45 mW @ -4.5 V NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

 ..2. Size:67K  onsemi
 ntjs3151p nvjs3151p.pdf pdf_icon

NVJS3151P

NTJS3151P, NVJS3151PTrench Power MOSFET12 V, 3.3 A, Single P-Channel, ESD Protected SC-88Featureswww.onsemi.com Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Life SC-88 Small Outline (2x2 mm, SC70-6 Equivalent)V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Gate Diodes for ESD Protection45 mW @ -4.5 V NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

Другие MOSFET... NVGS3443 , NVGS4111P , NVGS4141N , NVGS5120P , NVJD4152P , NVJD4158C , NVJD4401N , NVJD5121N , IRFB4227 , NVJS4151P , NVJS4405N , NVLJD4007NZ , NVLUS4C12N , NVMD3P03 , NVMD4N03 , NVMD6N03R2G , NVMD6N04 .

History: S68N08ZRP | IXTQ96N25T | IRF5800 | AP02N40J-HF | HAT2174N | APT77N60JC3 | BSZ240N12NS3G

 

 
Back to Top

 


 
.