NVJS3151P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVJS3151P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для NVJS3151P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVJS3151P даташит

 ..1. Size:64K  onsemi
 nvjs3151p.pdf pdf_icon

NVJS3151P

NTJS3151P, NVJS3151P Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P-Channel, ESD Protected SC-88 Features www.onsemi.com Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Life SC-88 Small Outline (2x2 mm, SC70-6 Equivalent) V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Gate Diodes for ESD Protection 45 mW @ -4.5 V NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

 ..2. Size:67K  onsemi
 ntjs3151p nvjs3151p.pdf pdf_icon

NVJS3151P

NTJS3151P, NVJS3151P Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P-Channel, ESD Protected SC-88 Features www.onsemi.com Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Life SC-88 Small Outline (2x2 mm, SC70-6 Equivalent) V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Gate Diodes for ESD Protection 45 mW @ -4.5 V NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

Другие IGBT... NVGS3443, NVGS4111P, NVGS4141N, NVGS5120P, NVJD4152P, NVJD4158C, NVJD4401N, NVJD5121N, 10N60, NVJS4151P, NVJS4405N, NVLJD4007NZ, NVLUS4C12N, NVMD3P03, NVMD4N03, NVMD6N03R2G, NVMD6N04