Справочник MOSFET. NVJS3151P

 

NVJS3151P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NVJS3151P
   Маркировка: VTJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.625 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 12 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.7 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 8.6 nC
   Время нарастания (tr): 1.5 ns
   Выходная емкость (Cd): 170 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363

 Аналог (замена) для NVJS3151P

 

 

NVJS3151P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  onsemi
 nvjs3151p.pdf

NVJS3151P NVJS3151P

NTJS3151P, NVJS3151PTrench Power MOSFET12 V, 3.3 A, Single P-Channel, ESD Protected SC-88Featureswww.onsemi.com Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Life SC-88 Small Outline (2x2 mm, SC70-6 Equivalent)V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Gate Diodes for ESD Protection45 mW @ -4.5 V NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

 ..2. Size:67K  onsemi
 ntjs3151p nvjs3151p.pdf

NVJS3151P NVJS3151P

NTJS3151P, NVJS3151PTrench Power MOSFET12 V, 3.3 A, Single P-Channel, ESD Protected SC-88Featureswww.onsemi.com Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Life SC-88 Small Outline (2x2 mm, SC70-6 Equivalent)V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Gate Diodes for ESD Protection45 mW @ -4.5 V NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top