NVLJD4007NZ Todos los transistores

 

NVLJD4007NZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NVLJD4007NZ
   Código: JG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.755 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.245 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.75 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm
   Paquete / Cubierta: WDFN6
     - Selección de transistores por parámetros

 

NVLJD4007NZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:122K  onsemi
 nvljd4007nz.pdf pdf_icon

NVLJD4007NZ

NVLJD4007NZSmall Signal MOSFET30 V, 245 mA, Dual, N-Channel, Gate ESDProtection, 2x2 WDFN Packagehttp://onsemi.comFeatures Optimized Layout for Excellent High Speed Signal IntegrityRDS(on) ID MAX Low Gate Charge for Fast Switching V(BR)DSS Typ @ VGS (Note 1)1.4 W @ 4.5 V Small 2 x 2 mm Footprint30 V 245 mA ESD Protected Gate2.3 W @ 2.5 V AEC-Q101 Quali

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AON7412

 

 
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