NVLJD4007NZ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVLJD4007NZ

Código: JG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.755 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.245 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.75 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm

Encapsulados: WDFN6

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NVLJD4007NZ datasheet

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NVLJD4007NZ

NVLJD4007NZ Small Signal MOSFET 30 V, 245 mA, Dual, N-Channel, Gate ESD Protection, 2x2 WDFN Package http //onsemi.com Features Optimized Layout for Excellent High Speed Signal Integrity RDS(on) ID MAX Low Gate Charge for Fast Switching V(BR)DSS Typ @ VGS (Note 1) 1.4 W @ 4.5 V Small 2 x 2 mm Footprint 30 V 245 mA ESD Protected Gate 2.3 W @ 2.5 V AEC-Q101 Quali

Otros transistores... NVGS5120P, NVJD4152P, NVJD4158C, NVJD4401N, NVJD5121N, NVJS3151P, NVJS4151P, NVJS4405N, 2N7000, NVLUS4C12N, NVMD3P03, NVMD4N03, NVMD6N03R2G, NVMD6N04, NVMFD5483NL, NVMFD5485NL, NVMFD5489NL