Справочник MOSFET. NVLJD4007NZ

 

NVLJD4007NZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVLJD4007NZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.755 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.245 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
   Тип корпуса: WDFN6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NVLJD4007NZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:122K  onsemi
 nvljd4007nz.pdf pdf_icon

NVLJD4007NZ

NVLJD4007NZSmall Signal MOSFET30 V, 245 mA, Dual, N-Channel, Gate ESDProtection, 2x2 WDFN Packagehttp://onsemi.comFeatures Optimized Layout for Excellent High Speed Signal IntegrityRDS(on) ID MAX Low Gate Charge for Fast Switching V(BR)DSS Typ @ VGS (Note 1)1.4 W @ 4.5 V Small 2 x 2 mm Footprint30 V 245 mA ESD Protected Gate2.3 W @ 2.5 V AEC-Q101 Quali

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: AM40N20-180P | DH105N07D | TT8M3 | SST65R600S2 | VBFB1405 | GT1003B | IPI600N25N3G

 

 
Back to Top

 


 
.