NVLJD4007NZ - аналоги и даташиты транзистора

 

NVLJD4007NZ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NVLJD4007NZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.755 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.245 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
   Тип корпуса: WDFN6
 

 Аналог (замена) для NVLJD4007NZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVLJD4007NZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:122K  onsemi
 nvljd4007nz.pdf pdf_icon

NVLJD4007NZ

NVLJD4007NZSmall Signal MOSFET30 V, 245 mA, Dual, N-Channel, Gate ESDProtection, 2x2 WDFN Packagehttp://onsemi.comFeatures Optimized Layout for Excellent High Speed Signal IntegrityRDS(on) ID MAX Low Gate Charge for Fast Switching V(BR)DSS Typ @ VGS (Note 1)1.4 W @ 4.5 V Small 2 x 2 mm Footprint30 V 245 mA ESD Protected Gate2.3 W @ 2.5 V AEC-Q101 Quali

Другие MOSFET... NVGS5120P , NVJD4152P , NVJD4158C , NVJD4401N , NVJD5121N , NVJS3151P , NVJS4151P , NVJS4405N , IRF9540 , NVLUS4C12N , NVMD3P03 , NVMD4N03 , NVMD6N03R2G , NVMD6N04 , NVMFD5483NL , NVMFD5485NL , NVMFD5489NL .

 

 
Back to Top

 


 
.