Справочник MOSFET. NVLJD4007NZ

 

NVLJD4007NZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NVLJD4007NZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.755 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.245 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
   Тип корпуса: WDFN6

 Аналог (замена) для NVLJD4007NZ

 

 

NVLJD4007NZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:122K  onsemi
 nvljd4007nz.pdf

NVLJD4007NZ NVLJD4007NZ

NVLJD4007NZSmall Signal MOSFET30 V, 245 mA, Dual, N-Channel, Gate ESDProtection, 2x2 WDFN Packagehttp://onsemi.comFeatures Optimized Layout for Excellent High Speed Signal IntegrityRDS(on) ID MAX Low Gate Charge for Fast Switching V(BR)DSS Typ @ VGS (Note 1)1.4 W @ 4.5 V Small 2 x 2 mm Footprint30 V 245 mA ESD Protected Gate2.3 W @ 2.5 V AEC-Q101 Quali

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top