NVLJD4007NZ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVLJD4007NZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.755 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.245 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm

Тип корпуса: WDFN6

Аналог (замена) для NVLJD4007NZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVLJD4007NZ даташит

 ..1. Size:122K  onsemi
 nvljd4007nz.pdf pdf_icon

NVLJD4007NZ

NVLJD4007NZ Small Signal MOSFET 30 V, 245 mA, Dual, N-Channel, Gate ESD Protection, 2x2 WDFN Package http //onsemi.com Features Optimized Layout for Excellent High Speed Signal Integrity RDS(on) ID MAX Low Gate Charge for Fast Switching V(BR)DSS Typ @ VGS (Note 1) 1.4 W @ 4.5 V Small 2 x 2 mm Footprint 30 V 245 mA ESD Protected Gate 2.3 W @ 2.5 V AEC-Q101 Quali

Другие IGBT... NVGS5120P, NVJD4152P, NVJD4158C, NVJD4401N, NVJD5121N, NVJS3151P, NVJS4151P, NVJS4405N, 2N7000, NVLUS4C12N, NVMD3P03, NVMD4N03, NVMD6N03R2G, NVMD6N04, NVMFD5483NL, NVMFD5485NL, NVMFD5489NL