NVMD3P03 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVMD3P03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.73 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.34 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

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NVMD3P03 datasheet

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NVMD3P03

NTMD3P03, NVMD3P03 Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts Dual P-Channel SOIC-8 Features High Efficiency Components in a Dual SOIC-8 Package High Density Power MOSFET with Low RDS(on) http //onsemi.com Miniature SOIC-8 Surface Mount Package - Saves Board Space Diode Exhibits High Speed with Soft Recovery IDSS Specified at Elevated Temperature VDSS RDS(ON) Typ ID Max

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NVMD3P03

NTMD3P03, NVMD3P03 Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts Dual P-Channel SOIC-8 Features High Efficiency Components in a Dual SOIC-8 Package High Density Power MOSFET with Low RDS(on) http //onsemi.com Miniature SOIC-8 Surface Mount Package - Saves Board Space Diode Exhibits High Speed with Soft Recovery IDSS Specified at Elevated Temperature VDSS RDS(ON) Typ ID Max

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