NVMD3P03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVMD3P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.73 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для NVMD3P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVMD3P03 даташит

 ..1. Size:106K  onsemi
 nvmd3p03.pdf pdf_icon

NVMD3P03

NTMD3P03, NVMD3P03 Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts Dual P-Channel SOIC-8 Features High Efficiency Components in a Dual SOIC-8 Package High Density Power MOSFET with Low RDS(on) http //onsemi.com Miniature SOIC-8 Surface Mount Package - Saves Board Space Diode Exhibits High Speed with Soft Recovery IDSS Specified at Elevated Temperature VDSS RDS(ON) Typ ID Max

 ..2. Size:110K  onsemi
 ntmd3p03 nvmd3p03.pdf pdf_icon

NVMD3P03

NTMD3P03, NVMD3P03 Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts Dual P-Channel SOIC-8 Features High Efficiency Components in a Dual SOIC-8 Package High Density Power MOSFET with Low RDS(on) http //onsemi.com Miniature SOIC-8 Surface Mount Package - Saves Board Space Diode Exhibits High Speed with Soft Recovery IDSS Specified at Elevated Temperature VDSS RDS(ON) Typ ID Max

Другие IGBT... NVJD4158C, NVJD4401N, NVJD5121N, NVJS3151P, NVJS4151P, NVJS4405N, NVLJD4007NZ, NVLUS4C12N, 8205A, NVMD4N03, NVMD6N03R2G, NVMD6N04, NVMFD5483NL, NVMFD5485NL, NVMFD5489NL, NVMFD5852NL, NVMFD5853N