NVMD4N03 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVMD4N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

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NVMD4N03 datasheet

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NVMD4N03

NTMD4N03, NVMD4N03 Power MOSFET 4 A, 30 V, N-Channel SO-8 Dual Features Designed for use in low voltage, high speed switching applications Ultra Low On-Resistance Provides http //onsemi.com Higher Efficiency and Extends Battery Life - RDS(on) = 0.048 W, VGS = 10 V (Typ) - RDS(on) = 0.065 W, VGS = 4.5 V (Typ) VDSS RDS(ON) Typ ID Max Miniature SO-8 Surface Mount Package - S

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