Справочник MOSFET. NVMD4N03

 

NVMD4N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVMD4N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для NVMD4N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVMD4N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:116K  onsemi
 ntmd4n03 nvmd4n03.pdf pdf_icon

NVMD4N03

NTMD4N03, NVMD4N03Power MOSFET4 A, 30 V, N-Channel SO-8 DualFeatures Designed for use in low voltage, high speed switching applications Ultra Low On-Resistance Provideshttp://onsemi.comHigher Efficiency and Extends Battery Life- RDS(on) = 0.048 W, VGS = 10 V (Typ)- RDS(on) = 0.065 W, VGS = 4.5 V (Typ)VDSS RDS(ON) Typ ID Max Miniature SO-8 Surface Mount Package - S

Другие MOSFET... NVJD4401N , NVJD5121N , NVJS3151P , NVJS4151P , NVJS4405N , NVLJD4007NZ , NVLUS4C12N , NVMD3P03 , STP75NF75 , NVMD6N03R2G , NVMD6N04 , NVMFD5483NL , NVMFD5485NL , NVMFD5489NL , NVMFD5852NL , NVMFD5853N , NVMFD5853NL .

History: 2N5197 | TPB65R360M | SIHFP360 | STP6621 | AP02N60I-A-HF | WMR15N02T1 | 2SK2022-01M

 

 
Back to Top

 


 
.