NVMD4N03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVMD4N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для NVMD4N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVMD4N03 даташит

 ..1. Size:116K  onsemi
 ntmd4n03 nvmd4n03.pdf pdf_icon

NVMD4N03

NTMD4N03, NVMD4N03 Power MOSFET 4 A, 30 V, N-Channel SO-8 Dual Features Designed for use in low voltage, high speed switching applications Ultra Low On-Resistance Provides http //onsemi.com Higher Efficiency and Extends Battery Life - RDS(on) = 0.048 W, VGS = 10 V (Typ) - RDS(on) = 0.065 W, VGS = 4.5 V (Typ) VDSS RDS(ON) Typ ID Max Miniature SO-8 Surface Mount Package - S

Другие IGBT... NVJD4401N, NVJD5121N, NVJS3151P, NVJS4151P, NVJS4405N, NVLJD4007NZ, NVLUS4C12N, NVMD3P03, 7N65, NVMD6N03R2G, NVMD6N04, NVMFD5483NL, NVMFD5485NL, NVMFD5489NL, NVMFD5852NL, NVMFD5853N, NVMFD5853NL