NVR4003N Todos los transistores

 

NVR4003N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NVR4003N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.69 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 47.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19.7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

 Búsqueda de reemplazo de NVR4003N MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

NVR4003N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  onsemi
 nvr4003n.pdf pdf_icon

NVR4003N

NTR4003N, NVR4003NSmall Signal MOSFET30 V, 0.56 A, Single N-Channel, SOT-23Features Low Gate Voltage Threshold (VGS(TH)) to Facilitate Drive CircuitDesign Low Gate Charge for Fast Switchingwww.onsemi.com ESD Protected Gate SOT-23 Package Provides Excellent Thermal PerformanceV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Minimum Breakdown Voltage Rating of 30 V1.0 W @ 4.0 V

 ..2. Size:84K  onsemi
 ntr4003n nvr4003n.pdf pdf_icon

NVR4003N

NTR4003N, NVR4003NSmall Signal MOSFET30 V, 0.56 A, Single N-Channel, SOT-23Features Low Gate Voltage Threshold (VGS(TH)) to Facilitate Drive CircuitDesign Low Gate Charge for Fast Switchingwww.onsemi.com ESD Protected Gate SOT-23 Package Provides Excellent Thermal PerformanceV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Minimum Breakdown Voltage Rating of 30 V1.0 W @ 4.0 V

Otros transistores... NVMFS5C442NL , NVMFS5C604NL , NVMFS5C612NL , NVMFS5C646NL , NVMFS5C670NL , NVMS5P02 , NVMS5P02R2G , NVR1P02 , 18N50 , NVR4501N , NVR5198NL , NVS4001N , NVS4409N , NVTA7002N , NVTFS4C05N , NVTFS4C06N , NVTFS4C08N .

History: CMLM0305 | SIHFPC60LC | AONY36354 | HAT3006R | IXTH10N60A | 1N60G-AB3-R | CM10N60AFZ

 

 
Back to Top

 


 
.