NVR4003N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVR4003N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.69 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 19.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для NVR4003N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVR4003N даташит

 ..1. Size:57K  onsemi
 nvr4003n.pdf pdf_icon

NVR4003N

NTR4003N, NVR4003N Small Signal MOSFET 30 V, 0.56 A, Single N-Channel, SOT-23 Features Low Gate Voltage Threshold (VGS(TH)) to Facilitate Drive Circuit Design Low Gate Charge for Fast Switching www.onsemi.com ESD Protected Gate SOT-23 Package Provides Excellent Thermal Performance V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Minimum Breakdown Voltage Rating of 30 V 1.0 W @ 4.0 V

 ..2. Size:84K  onsemi
 ntr4003n nvr4003n.pdf pdf_icon

NVR4003N

NTR4003N, NVR4003N Small Signal MOSFET 30 V, 0.56 A, Single N-Channel, SOT-23 Features Low Gate Voltage Threshold (VGS(TH)) to Facilitate Drive Circuit Design Low Gate Charge for Fast Switching www.onsemi.com ESD Protected Gate SOT-23 Package Provides Excellent Thermal Performance V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Minimum Breakdown Voltage Rating of 30 V 1.0 W @ 4.0 V

Другие IGBT... NVMFS5C442NL, NVMFS5C604NL, NVMFS5C612NL, NVMFS5C646NL, NVMFS5C670NL, NVMS5P02, NVMS5P02R2G, NVR1P02, BS170, NVR4501N, NVR5198NL, NVS4001N, NVS4409N, NVTA7002N, NVTFS4C05N, NVTFS4C06N, NVTFS4C08N